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107年 - 107 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_從業評價-電子電機:電子學#71755
> 試題詳解
9. 電晶體共基極組態的洩漏電流 I
CBO
與共射極組態的洩漏電流 I
CEO
的關係為
(A)
(B)
(C)
(D)
.
答案:
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統計:
A(151), B(25), C(9), D(19), E(0) #1868635
詳解 (共 2 筆)
Wu_2383
B3 · 2020/02/26
#3800144
電晶體共基極組態的洩漏電流 CBO I ...
(共 92 字,隱藏中)
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劉威
B2 · 2019/11/23
#3682458
D是不是也對?
(共 9 字,隱藏中)
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相關試題
10. 如【圖1】所示之電晶體放大器, VCC = 10.7V 、 β =100、VBE = 0.7V 、RB = 200k Ω、 RE = 2k Ω,請問下列何者錯誤? (A) I C =2.5mA (B) IB =25μA (C) VO =2.5V (D) VCB =5V
#1868636
11. 如【圖2】所示為共基極式偏壓電路,請問下列何者正確? (A) I C=0.5mA (B) IE =0.7mA (C) VO =8.55V (D) VCE =5V
#1868637
12. 就達靈頓電路的特性而言,下列何者錯誤? (A)電壓增益很高 (B)電流增益很高 (C)輸入阻抗很高 (D)輸出阻抗很低
#1868638
13. 如【圖3】所示之電晶體放大器,若 rπ=1KΩ, 試求此放大器之輸入阻抗Zi為? (A)10KΩ (B)40KΩ (C)245KΩ (D)7.75KΩ
#1868639
14. 有一放大電路的功率增益為20dBm,則輸出功率為何? (A)10mW (B)100mW (C)1mW (D)2mW
#1868640
15. 在串級放大系統中,何種連接方式最易達成阻抗匹配? (A)R-C耦合 (B)變壓器耦合 (C)直接耦合 (D)達靈頓電路
#1868641
16. 有一N通道JFET,其 I DSS= 9mA ,V P =-3V ,請問當直流偏壓 VGS = -1V -時,其汲極電流 I D為何? (A)4mA (B)3mA (C)1.5mA (D)1mA
#1868642
17. 有關BJT與FET的比較,下列敘述何者正確? (A)FET為雙極性電晶體 (B)BJT為單極性電晶體 (C)一般BJT的基極輸入阻抗比MOSFET閘極的輸入阻抗小 (D)BJT為一種電壓控制元件
#1868643
18. 一增強型MOSFET臨界電壓 VT = 2V ,當 VGS = 4V 時, I D= 2mA ,若 VGS = 5V ,則 I D為? (A) 1mA (B) 1.5mA (C) 3mA (D) 4.5mA
#1868644
19. 在FET的三個交流小訊號參數中,gm、 rd 及μ三者之關係為 (A) (B) (C)(D)
#1868645
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