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技檢◆儀表電子-乙級
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114年 - 11500 儀表電子 乙級 工作項目 06:電子學 51-100(2025/11/04 更新)#133299
> 試題詳解
98. 如下圖電路所示,若已知 V
i
與 V
O
相位相同,則下列敘述何者有誤?
(A)V
O
/V
i
=R
2
/(R
2
+R
1
)
(B)V
i
頻率若改變,則 V
i
與 V
O
之相位將不同
(C)常用於示波器之輸入端,以避免輸入波形失真
(D)R
1
C
1
=R
2
C
2
。
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詳解 (共 1 筆)
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B1 · 2025/11/11
#7071107
1. 題目解析 在這道題目中,題目提供...
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相關試題
99. 下列敘述,何者並非影響放大器低頻響應的原因? (A)輸入的交連電容器(B)退交連電容器 (C)射極旁路電容器 (D)輸出端的交連電容器 。
#3665627
100. 若 V1、V2分別為運算放大器之非反相及反相端的輸入電壓,而 Vc與 Vd則分別代表共模信號電壓及差動信號電壓,則其彼此間關係之敘述,下列何者錯誤? (A)Vc=(V1+V2)/2 (B)V1=Vc+Vd/2 (C)Vd=(V1-V2)/2 (D)Vd=V1-V2。
#3665628
101. 在類比/數位的轉換中若欲增加信號的解析度,則下列的做法何者正確?(A)增高取樣頻率 (B)增加數位的位元數 (C)提高輸入電壓 (D)提高轉換器的速度 。
#3665629
102. 關於空乏型 N 通道 MOSFET 的敘述,下列何者敘述錯誤? (A)可當空乏型使用,亦可當增強型使用 (B)VTN為負電壓 (C)主要載體為電洞 (D)VGS=0V 時,通道會導通 。
#3665630
103. 放大電路的輸入電壓為 1mV,輸出電壓為 10V,則此放大電路的電壓增益為多少 dB? (A)20 (B)40 (C)60 (D)80 。
#3665631
104. 積體電路的設計常以主動元件代替電阻負載,其原因為何? (A)主動元件的動態電阻較小 (B)可使電路的頻率響應更寬 (C)電阻負載的體積較大 (D)可增加輸入阻抗 。
#3665632
105. 電晶體的 rπ=2.5kΩ、gm=40 mA/V,則其β值為多少? (A)16 (B)32 (C)100(D)200 。
#3665633
106. 在 IC 的製程中 MOSFET 和 BJT 電晶體比較,下列哪一個條件非MOSFET 所具有的優點? (A)輸入阻抗高 (B)體積小 (C)消耗功率低 (D)電壓放大倍數高 。
#3665634
107. MOSFET 若欲作線性放大器使用時,需工作於何種區域? (A)順向主動區(B)飽和區 (C)非飽和區 (D)截止區 。
#3665635
108. 欲得到差動放大器的輸入直流偏移電壓,可將輸出直流偏移電壓除以何者? (A)gm(B)CMRR (C)Acm(D)Ad。
#3665636
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