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公職◆經濟學概論與財政學概論
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110年 - 110 地方政府特種考試_三等_財經廉政:經濟學概論與財政學概論#104838
> 申論題
題組內容
二、請回答下列有關外部性(externality)的相關問題:
(一)何謂金融性的外部性?是否會造成市場失靈的現象?(5 分)
詳解 (共 2 筆)
ming(111高考錄取)
詳解 #5368126
2022/03/05
(共 1 字,隱藏中)
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Annie
詳解 #6861850
2025/10/08
金融性的外部性(Financial E...
(共 535 字,隱藏中)
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相關申論題
(二)請以外部性的觀點,詳細繪圖且說明為何施打新冠肺炎(COVID-19) 疫苗的行為會有市場失靈的現象?(10 分)
#444221
(三)請詳細繪圖且說明皮古稅(Pigouvian tax)如何矯正二手菸行為所造成 的市場失靈。(10 分)
#444222
(一)繪出閃鋅晶格結構,並說明次晶格如何使兩種原子組合成共價鍵鍵 結。 (10 分)
#444223
(二)若以矽原子為砷化鎵半導體的雜質。分別就矽原子進入砷原子的次晶 格取代砷原子、以及進入鎵原子的次晶格取代鎵原子,討論如何影響 砷化鎵的導電型態。 (10 分)
#444224
二、考 慮 在 一 個 順 偏 發 光 二 極 體 元 件 的 主 動 層 內 的 電 子 、 電 洞 復 合 (recombination),舉出三種復合的方式,說明其物理機制,並敘述其復 合速率與電子、電洞濃度的關係。(20 分)
#444225
(一)若此半導體為 n 型半導體,由電子傳導,問電子會堆積在 e 接點側或 d 接點側?電壓 為正或為負?說明你的理由。若半導體為 p 型半 導體又會如何?(10 分)
#444226
(二)若 ed 的間距為 W,cd 的間距為 L,薄膜的厚度為 t,磁場的大小為 |B|,單位電荷以 q 表之。就半導體為 n 型半導體,電子濃度為 n 的條 件,求 /I 之值,以上述參數表之。 (10 分)
#444227
四、考慮一個異質 PN 接面,P 型半導體的能隙為 1.4 eV,其中性區之費米 能階在價電帶上方 0.05 eV。N 型半導體的能隙為 1.7 eV,其中性區的費 米能階在導電帶下方 0.1 eV。若在接面接合處 N 型半導體的導電帶比 P 型半導體的導電帶高 0.2 eV。假設 P 型半導體的雜質濃度 NA 遠高於 N 型半導體的雜質濃度 ND,畫出平衡時的能帶圖概要圖,圖中需標出能 隙、中性區費米能階、接合處的導電帶與價電帶差異,以及空間電荷區。 說明空間電荷區的主要電荷及其電場方向。並求此 PN 接面的內建電位 (built-in potential)大小。(20 分)
#444228
五、舉出兩種乾式蝕刻(dry etch)法,說明其工作之原理。並說明乾式蝕刻 為何能夠達到具高深寬比的非等向性(anisotropic)蝕刻。(20 分)
#444229
(一)請利用 CPM(critical path method)之分析方法,補足各作業空白處所 遺失之進度資訊,並以表格呈現各作業之「工期」 、「最早開始時間」 、 「最早完成時間」 、「最遲開始時間」 、 「最遲完成時間」、「總浮時(total float time)」。(10 分)
#444230
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