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半導體工程
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102年 - 102 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39522
> 申論題
題組內容
六、一般的化學溶液蝕刻劑都是等向性蝕刻劑(isotropic etchant),會往所有方向均勻 地蝕刻,造成圓角的截面特徵。相對地,非等向性蝕刻劑(anisotropic etchant)比 較喜歡在一個方向上蝕刻,造成由平坦且明確定義的表面所界定的壕溝或腔體。氫 氧化鉀(KOH)是截至目前最常使用之矽的非等向性蝕刻劑。
⑴那一個結晶平面是 KOH 蝕刻速率特別低的平面?(5 分)
相關申論題
⑵造成此結晶平面蝕刻選擇性的起源為何?(5 分)
#117918
⑶什麼材料可以作為 KOH 蝕刻的罩幕材料?(5 分)
#117919
⑷什麼材料可以作為 KOH 蝕刻停止(stop)?(5 分)
#117920
⑴人體組織等效球其質量組成
#117921
⑵年攝入限度
#117922
⑶干預
#117923
⑷表面污染物體
#117924
⑸低擴散性放射性物質
#117925
⑹污染
#117926
⑺櫃型
#117927
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