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控制系統
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111年 - 111 高等考試_二級_電力工程：控制系統#111038
> 申論題
題組內容
三、一回授系統如下圖所示：
其中 G (s ) =
以及誤差信號 E 定義成 E = R –Y 。
(一)推導求出 Y ( s ) / W ( s) 之轉移函數。（3 分）
相關申論題
(二)推導求出 Y ( s ) / R( s ) 之轉移函數。（2 分）
#476000
(三)推導求出 (k P , k I ) 讓回授系統穩定的條件。 （10 分）
#476001
(四)在(三)之前提下，推導求出針對系統輸入信號 R 的系統型態（System type with respect to input）。 （4 分）
#476002
(五)在(三)之前提下，分別推導求出穩態誤差信號值，若 R、 。 （各 2 分，共 6 分）
#476003
(一)依奈奎斯特圖法繪製此回授系統之奈奎斯特圖（Nyquist plot），其中 K≥ 0 。（12 分）
#476004
(二)由(一)之奈奎斯特圖，求出讓回授系統穩定之 K 的條件。（8 分）
#476005
(三)由(一)與(二)之結果，當 K = 10 時，求系統之增益邊際（Gain margin）。 （5 分）
#476006
(一)請說明漂移速度（drift velocity） 、飽和速度（saturation velocity） 、與位 移率（mobility）。
#476007
(二)就直接能隙半導體例如 GaAs、InP 與間接能隙半導體例如 Si，分別說 明從低電場到高電場，電子漂移速度如何隨電場變化。
#476008
(一)就理想的上述金屬/n-型半導體蕭基接面，說明其蕭基位障（Schottky barrier）是由那些物理參數決定？若要形成具有整流特性蕭基接面的條件為何？
#476009
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其中 G (s ) = 
以及誤差信號 E 定義成 E = R –Y 。 
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其中 G (s ) = 以及誤差信號 E 定義成 E = R –Y 。