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半導體工程
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111年 - 111 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#108533
> 申論題
題組內容
三、
(一)請說明薄膜電晶體(TFT)的元件結構。 (5 分)
相關申論題
(二)請說明複晶矽薄膜電晶體的載子遷移率較低的原因及如何改善? (10 分)
#465682
(一)請繪出使用 p 型井(p-well)CMOS(complementary MOS)反相器的 橫截面圖。 (10 分)
#465683
(二)請說明 CMOS 的閂鎖(latch-up)效應。(10 分)
#465684
(一)請繪出熱平衡下金屬-半導體接面的能帶結構圖,並標示 φm、φS、χS 位 置。(5 分)
#465685
(二)請繪出熱平衡下金屬-半導體接面的電荷分布與電場分布。 (6 分)
#465686
(三)請寫出接面屏障高度和內建電位的表示式,並在能帶結 構圖中標示其位置。 (5 分)
#465687
(四)請繪出施加正偏壓 VF 時金屬-半導體接面的能帶結構圖。 (4 分)
#465688
(一)熱分解反應常用來製作複晶矽,請寫出其化學反應式。(5 分)
#465689
(二)相較於複晶矽閘極電極,以鋁作為 MOS 閘極電極的穩定性較差, 請說明其原因。(5 分)
#465690
一、A 公開發行公司董事會共有 9 名董事,並未設有常務董事,公司派的董 事長甲認為,為因應時代需求應該轉型及裁員,且強力推行,但是其他 董事都認為應該發展核心業務以外,也應照顧員工。在一次董事會中, 一位董事提出臨時動議解任董事長,並獲得 8 票同意通過。試問:該解 任的決議效力為何?(25 分)
#465691
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