(三)計算滴定終點時溶液中的汞離子濃度[]。（使用正確有效數字）

四、有一簡易的矩型蒸鍍機（如下圖），底部放置一矽晶片並加熱進行化學蒸鍍（chemical vapor deposition,CVD），其反應為： A為前驅物與惰性氣體氦氣（He）一起進入，經過擴散板（diffuser）擴散至晶片表面，藉由下方加熱板升溫將前驅物A熱裂解，B分子則沉積在晶片表面形成薄膜，氣體E與He經由擴散由左側排出。假設⑴在擴散板與晶片之間無流動或擾動之靜止狀態（quiescent），且無任何裂解反應發生，⑵裂解反應只發生在晶片表面且為非常快速反應，⑶薄膜B的厚度遠小於δ。請推導在穩態（steadystate）下晶片表面A的質量通量（massflux，NAZ）為何？（25分） Hint：為A在E中的擴散係數；莫爾分率；氣相中的總濃度為C。