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112年 - 112 專技高考_專利師(選試專業英文及計算機結構)、專利師(選試專業日文及計算機結構):計算機結構#116258
> 申論題
題組內容
四、假設實體記憶體有四頁,以及參考頁面的編號序列為
abgadeabadegde
(也就是先參考頁面 a,接續頁面 b,再接續頁面 g,……,一直到最後 頁 面 e)。請 逐一跟隨( trace)與計算以 下每一種記憶體 置換策略 (replacement strategy) ,會發生幾次的頁面存取錯誤(page fault) 。(假設每種策略最初所有頁的內容都是空白的。)
(三) LIFO(Last In First Out)(5 分)
相關申論題
(四) MRU(Most Recently Used)(5 分)
#496573
(五)請設計與說明一套你自己提出的置換策略,以及展示會發生幾次頁面存取錯誤。 (5 分)
#496574
一、以下の日本語を中国語に翻訳せよ:まず、被告が本件技術評価書を提示することなく、本件警告及び本 件通知を送付したことの評価について検討する。この点、平成 5 年の法改正において、発明ではなく考案を対象とする実用新案権につ いては、新規性、進歩性の要件等についての実体審査をせずに登録 を認める一方で、これにより、無効事由を含む瑕疵のある実用新案 権が登録される可能性が増大することとなるため、これに対応する ものとして、特許庁の審査官が実用新案の有効性を評価する実用新案技術評価の制度を設け、実用新案権者は、実用新案技術評価書を提示して警告をした後でなければ、実用新案権を侵害する者に対 し、権利を行使することができない旨を定めた。(25 分)
#496575
二、我が国の専利法における職務発明及び非職務発明に関する使用者 の権利・義務について、日本語で説明せよ。(25 分)
#496576
一、如圖一所示之電路,假設 D1 , D2為相同規格的二極體,其導通電壓在 0.7 V 時,相對的導通電流為 25 mA,其導通電壓在 0.8 V 時,相對的導通電流為 150 mA,其中 I1 = 12 mA,VO=120 mV,VT= 25 mV,在此條件下,試求 R 值為多少歐姆( Ω )?(20 分)
#496577
(一)V2 = ?(V)(5 分)
#496578
(二)V3 = ?(V)(5 分)
#496579
(三)V4 =?(V)(5 分)
#496580
(四) V5= ?(V)(5 分)
#496581
(一)中帶增益 Am= ?(4 分)
#496582
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