阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
>
114年 - 114 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#128721
> 申論題
題組內容
三、
(二)圖二為共射極電晶體的增益(gain, β)對集極電流(I
C
)的關係圖。請說明在低集極電流與高集極電流時,增益都會下降的原因。 (10 分)
相關申論題
(一)何謂次閾值斜率(subthreshold slope)?請說明它的單位是什麼?(10 分)
#549064
(二)在金氧半場效電晶體模型(MOSFET model)有一表面遷移率(surface ,它和一般塊晶體(bulk crysral)的遷移率比較,何者的值比 mobility)較高?請說明原因。 (10 分)
#549065
(一) 近代矽製程多使用離子布植 ( ion implantation) 技術製作淺接面 (shallow junction),之後再以快速熱退火(rapid thermal annealing, RTA)進行後續處理。請說明使用快速熱退火的原因。(10 分)
#549066
(二)一般傳統使用汞燈光源的黃光微影製程技術有接觸(contact)式、近接(proximity)式兩種,請比較其優缺點。 (10 分)
#549067
(一)完成( A )程式碼(12 分)
#549068
(二)完成(B)程式碼(3 分)
#549069
(三)完成(C)程式碼(3 分)
#549070
(四)完成(D)程式碼(4 分)
#549071
(五)完成(E)程式碼(3 分)
#549072
(一) 6~12 行程式碼功能(4 分)
#549073
相關試卷
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#134688
114年 · #134688
114年 - 114 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#128721
114年 · #128721
114年 - 114 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#128720
114年 · #128720
113年 - 113 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#124513
113年 · #124513
113年 - 113 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#121484
113年 · #121484
112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#118133
112年 · #118133
112年 - 112 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#115437
112年 · #115437
111年 - 111 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#112359
111年 · #112359
111年 - 111 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#109458
111年 · #109458
111年 - 111 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#108533
111年 · #108533