題組內容

三、溫度等於 300 K 時，考慮一個矽的 pn 陡接面二極體，其 p 型區的摻雜濃度 N A = 1017 cm -3 ，與 n 型區的摻雜濃度 N D = 1016 cm -3 。已知電子電荷q = 1.6 ✖ 10-19 C；熱電壓 kT /q = 0.026 V；本質載子濃度 ni =1.5 ✖1010 cm -3；ε0 =8.854 ✖ 10-14 F/cm ； ε SiO2 = 3.9ε0； εSi =11.7ε0 。請回答以下兩子題：

( ㄧ)無外加偏壓時，計算此 pn 二極體之內建電位、空乏區寬度與最大內建 電場？(15 分)