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國營事業◆1.電路學 2.電磁學
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103年 - 103 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(乙):1.電路學 2.電磁學(重複)#60436
> 申論題
題組內容
五、有三個平面形的介質置於兩個理想導體中,形成一個電容的結構,其橫切面如【圖5】所示。結構中介質的相對介電係數(ε
r1
~ ε
r3
),以及厚度(t
1
~ t
3
)標註在【圖5】。
(2) 現在將一個直流電壓源V
I
加在本電容結構中。假設介質1~介質3 能承受的最高電場強度皆為(10
6
V/m)。若超過這電場強度,則此介質就會損壞。假設逐漸增加V
I
,請問哪個 介質最先損壞,其原因為何?(5分)
相關申論題
(3) 承上題,計算此電容結構最高能承受的電壓為多少伏特 (V)? (10分)
#237646
六、如【圖6】所示電流I從z=-∞沿直導線流到位於原點的點電荷Q(t),另外一電流0.2I從電荷 Q(t)沿直導線流到z=∞。試求沿xy −平面上包含位於原點的點電荷Q(t)及半徑為a之圓形路徑C之封閉線積分。(15分)
#237647
(2) i2(0-)=? (5分)
#237648
(3) t>0時,i2(t)=? (10分)
#237649
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#237650
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#237651
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#237652
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#237653
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#237654
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#237655
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