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研究所、轉學考(插大)◆電子學
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110年 - 110 國立臺灣大學_碩士班招生考試_電子工程研究所甲、乙組:電子學(D)#102155
> 申論題
題組內容
2. Choose ALL correct statements from the following: [5%]
(e) The read operation of a SRAM cell has to be nondestructive.
相關申論題
(a) Draw the midband small-signal equivalent circuit and find the voltage gain (Vo/VS). [10%]
#429574
(b) Find the input resistance of the amplifier. [5%]
#429575
(c) It is obvious that the gain depends on the value of Ro. How do you choose RG to achieve a voltage gain of–4? [5%]
#429576
(d) In order to evaluate the high-frequency response of the circuit, please draw the small-signal equivalent circuit by including . [5%]
#429577
(e) Given tha = 50 fF, use time constant method to evaluate the 3-dB frequency of the amplifier. [10%]
#429578
(a) Derive the transfer function T(s) = Vo/Vi, of the circuit. [10%]
#429579
(b) For m = 2, find the magnitude and phase of the transfer function at ω = 1/RC. [5%]
#429580
(c) To ensure no gain peaking in the frequency response, how do you choose the design parameter m? [5%]
#429581
(a) In order to avoid systematic output dc offset, find the ratio of, [5%]
#429582
(b) Based on the small-signal equivalent circuit in Fig. 5(b), derive the low-frequency gain, unity-gain frequency (ωt). Also find the frequencies of the dominant pole, the second pole () and the zero (ωz). [10%]
#429583
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