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數位信號處理
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96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電信工程:數位信號處理#50535
> 申論題
題組內容
三、
⑴請以方塊圖說明如何將類比訊號(ANALOG SIGNAL)轉換成數位訊號(DIGITAL SIGNAL)的程序?(5 分)
相關申論題
⑵若有一類比訊號 xa (t ) = 3 cos 50πt + 10 sin 300 πt − cos100 πt ,則此訊號之奈奎斯特取 樣頻率(NYQUIST RATE)為何?(5 分)
#179474
⑶考 慮 一 連 續 時 間 弦 波 訊 號 ( SINUSOIDAL SIGNAL) xa (t ) = cos( 2πf 0 t ) , 其 中 f 0 =10 kHz 1請繪出此訊號之頻譜圖。(3 分) 2請繪出此訊號經取樣頻率為 34 kHz 取樣後之頻譜圖。(3 分) 3請繪出此訊號經取樣頻率為 12 kHz 取樣後之頻譜圖。(4 分)
#179475
一、⑴試繪圖說明 N-MOS 在順向偏壓時的能帶結構圖。
#179480
⑵試繪圖說明 D-MOS(Double-Diffused MOS)之結構圖及其應用。 (20 分)
#179481
二、⑴若由熱氧化法(Thermal Oxidation)成長二氧化矽(SiO2)之厚度為 100nm, 則矽消耗若干?
#179482
⑵試說明傳統的雙極性接面電晶體(BJT)與異質接面雙極性電晶體(HBT)之相 異處。 (20 分)
#179483
三、⑴試說明一面心立方晶體(Face-Center Cubic)之原子結構,並算出整個晶體空間 原子所佔的空間比例為多少?
#179484
⑵試說明半導體雷射二極體的發光原理。 (20 分)
#179485
四、⑴一矽二極體為單一側陡峭接面(One-Side Abrupt Junction),P、N 側之濃度各為 NA =1019cm–3 ,ND =1016cm–3 。試計算空乏層之厚度及在零偏壓下最大的電場 (矽的εr=12,室溫下的本質濃度 ni=1.45×1010/cm3)。
#179486
⑵試說明如何以四點探針法(Four-Point Probe)量測半導體特性。 (20 分)
#179487
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