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半導體製程
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99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體製程#52308
> 申論題
題組內容
四、
⑴請說明為什麼很少使用電子槍蒸鍍方式來進行合金金屬蒸鍍？（10 分）
相關申論題
⑵請說明在什麼情況下需要使用射頻（RF）濺鍍方式而不使用直流（DC）濺鍍方 式？（10 分）
#189983
⑴以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiO2及Si3N4，而以電 漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiOx及SiNx ，為什麼？（10 分）
#189984
⑵請說明在什麼情況下需要使用氮化矽（Si3N4）？與二氧化矽（SiO2）相比，氮化 矽（Si3N4）有什麼缺點？（10 分）
#189985
1. 雲林公司 97 年 12 月 31 日公司帳上「交易目的」有價證券之市價和原始取得成本之差 額為何？以及何者金額較大？（假設當年度之調整分錄已做）
#189986
2. 試作雲林公司於 98 年 12 月 31 日與上述交易相關之調整分錄。（假設當年度尚未調整 金融資產評價損失或利得）
#189987
桃園公司 96 年之基本每股盈餘與稀釋每股盈餘。
#189988
(一)由高雄公司之角度，辨認該租賃之類型，且敘明理由。
#189991
(二)試作租賃開始日（97 年 1 月 1 日），高雄公司有關租賃之分錄。（假設高雄公司採用 永續盤存制記錄存貨交易）（計算請四捨五入至整數）
#189992
(三)試作租賃開始日（97 年 1 月 1 日）雲仙公司有關租賃之分錄。（計算請四捨五入至整數）
#189993
(四)試作 97 年底雲仙公司對於此租賃有關之分錄。（計算請四捨五入至整數）
#189994
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