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電子學（包括電力電子學）
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101年 - 101 專技高考_電機工程技師：電子學（包括電力電子學）#38809
> 申論題
題組內容
三、如圖三所示之電路，已知
，V
TN
= 1V， λ = 0，求出
⑶其 3-dB 頻率。（5 分）
相關申論題
⑴推導其差動電壓增益之表 示式；（10 分）
#115258
⑵當差動電壓增益為 40 時，求( W/ L )1,2 與( W/L ) 3,4 。（10 分）
#115259
一、⑴請敘述如何進行電鍍輻射源的滲漏測試。⑵請敘述執行擦拭測試時的原則。（10 分）
#115261
二、⑴如何進行高活度的輻射源的擦拭測試（smear test）？⑵請敘述使用電子捕獲偵檢 器（ECD，含 63Ni）之氣相層析儀如何進行擦拭測試。（10 分）
#115262
三、請敘述貝他（β）密封放射性物質的輻射防護原則。（10 分）
#115263
四、某鈷 60(60Co)密封射源造成空間內某點處的吸收劑量率為 300 µGy/h，請問該點處連 續接受曝露 15.78 年累積的吸收劑量為何？［鈷 60 的 t1/2＝5.26y］（10 分）
#115264
五、已知銫 137(137Cs)密封射源的Γ值為 3.2 R cm2 h-1 mCi-1 ，試求將距離 10 Ci 之 137Cs 射源 1 m 處，曝露率降至 50 µR/h 需加多少公分的鉛？（鉛對 137Cs 加馬射線的 HVL 為 0.7 cm）（10 分）
#115265
六、已知鈷 60(60Co)密封射源活度為 1 TBq，若以 12 cm 厚的鉛作屏蔽，試求距射源 1 m 處的曝露率。已知Γ Co-60＝1.32 (R m2 )/(Ci h)，60Co 的 HVL＝1.2 cm Pb。（10 分）
#115266
八、以 NaI(Tl)測量 137Cs 密封射源的γ能譜，在 NaI(Tl)無機閃爍體中反覆吸收 662 keV 的γ光子而產生光電子數目分布。⑴假設 NaI(Tl)的解析度 R 為 10%，NaI(Tl)閃爍 偵檢器每記錄一個事件均伴隨著消耗 662 keV 的γ能量，則產生一個光電子所需的 能量 W 為何？⑵若氣體比例計數器的 W＝30 eV/i.p.，則氣體比例計數器吸收 137Cs 的γ光子平均產生的電子數 N 為何？氣體比例計數器的解析度 R 為何？（10 分）
#115268
九、某一輻射工作人員操作 370 MBq 的密封 β 射源，胸部配戴之人員劑量計與此射源的 距離為 50 cm，劑量計測得之 β- 射線之劑量為 100 µSv，請問此人操作密封 β 射源 時間為何？（β- 射線在人體的阻止本領為 0.25 MeV m2 kg-1 ）（10 分）
#115269
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，VTN = 1V， λ = 0，求出
，VTN = 1V， λ = 0，求出
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