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99年 - 99 高等考試_二級_電子工程:高等電子電路學(包括類比與數位)#27564
> 申論題
題組內容
三、圖三中的電晶體之作用為開關(switch),亦即其僅操作於截止(cutoff)或飽和(saturation) 區。若電晶體之 β
DC
= 50,飽和電壓 V
CE(sat.)
= 0.2 V,且 R
B1
= R
B2
= 50 kΩ。
⑷此邏輯閘的功能為何?請以真值表說明。 (5 分)
相關申論題
⑸若此邏輯閘的輸出可接到多個同型邏輯閘, 若可允許的雜訊為 1 V 時,則最大的扇出 (fanout)數為何?(5 分)
#49816
⑴請說明為何放大器要求高輸入阻抗、低輸出阻抗。(4 分)
#49817
⑵一般而言,負回授電路可增大輸入阻抗。試導出圖四(a)之非反相式負回授(noninverting negative feedback)運算放大器電路的輸入阻抗。(6 分)
#49818
⑶圖四(b)為方波振盪器(square-wave generator)。若 R1 = R3 = 10 kΩ、R2 = 20 kΩ、 C = 0.01 μF、運算放大器之最高及最低輸出電壓為±15 V;試繪出 Vout及 VC之波 形,並求出此振盪器之振盪頻率。(10 分)
#49819
⑴當 VD為 5 V 時,nMOS 電晶體的操作區域為何?求輸出電 壓 VS。(6 分)
#49820
⑵當 VD為 3 V 時,nMOS 電晶體的操作區域為何?求輸出電 壓 VS。(6 分)
#49821
⑶由上述結果說明 nMOS 電晶體作為開關(switch)(非理想 開關)時在實際電路上產生的問題。(4 分)
#49822
三、兩個負載並聯,一個負載為 2 kW,功率因數 pf=0.75(超前),另一個負載為 4 kW, 功率因數 pf=0.95(落後),求兩個負載合成之功率因數,並求電源端所送出之複 數功率(complex power)。(20 分)
#49825
當⑴V1 = V2=5V(4分
#49828
⑵V1=5V , V2 = 0V (8 分)
#49829
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