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積體電路技術
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98年 - 98 公務升官等考試_簡任_電子工程：積體電路技術研究#47715
> 申論題
一、何謂 silicide？何謂 salicide？試繪圖說明形成 silicide 的重要步驟。（20 分）
相關申論題
二、試繪出 SoI（silicon-on-insulator）CMOS 元件的基本結構，並說明其重要特性。 （20 分）
#164510
三、何謂 triple-well 技術？試繪剖面圖（cross-sectional view）說明 triple-well 的結構。 （20 分）
#164511
四、何謂 reticle？與傳統的 mask 比較下，它具有何重要特性？（20 分）
#164512
⑴ Ion channeling effect
#164513
⑵ MEMS（microelectromechanical system）
#164514
⑶ OPC（optical proximity correction）
#164515
⑷ SiGe-Base transistor
#164516
⑴最終處置。
#164517
⑵封閉掩埋法。
#164518
⑶資源回收之“風力分選機＂。
#164519
相關試卷
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