一、設 一 矽 二 極 體 pn 接面之摻雜濃度
與摻雜濃度
且本質濃度 
，試求於T= 300 K 時之內建 電壓V0、空乏區寬度Wdep與空乏區在 p 側及 n 側之延伸寬度。（25 分）
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一、設 一 矽 二 極 體 pn 接面之摻雜濃度與摻雜濃度 且本質濃度 ，試求於T= 300 K 時之內建 電壓V0、空乏區寬度Wdep與空乏區在 p 側及 n 側之延伸寬度。（25 分）