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半導體工程
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97年 - 97 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#40290
> 申論題
一、請分析一原子半徑為 0.225 nm 且具面心結構之晶體(設原子為硬球體),其⑴ 該 晶體之原子體積密度為何?⑵ 相鄰(110)平面間之距離;⑶ 原子在(110)面上之表面 密度。(15 分)
相關申論題
二、請以能帶圖說明何種情況金屬與 p-type 半導體將有機會形成歐姆接觸。(10 分)
#123347
三、何謂穿隧二極體(tunnel diode)?試繪出其能帶圖並說明電流-電壓之關係。(15 分)
#123348
四、請說明發光二極體之工作原理,並說明如何提升其發光效率。(10 分)
#123349
五、請說明愛因斯坦關係式為何?何謂載子漂移率?其單位為何?(20 分)
#123350
六、以 n-type Si 為基板,請說明形成 pn 接面之步驟。(20 分)
#123351
七、請說明磊晶與鍍膜之差異。(10 分)
#123352
⑴污泥齡
#123353
⑵污泥容積指標(SVI)
#123354
⑶污泥密度指標(SDI)
#123355
⑷有機負荷(F/M)
#123356
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