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半導體工程
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99年 - 99 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#40348
> 申論題
三、有一p-n接面,如果逆向偏壓 1V時候的電容值是 1 nF/cm
2
,請問總空乏區寬度是多 少?(15 分)(提示:ε
r
(Si) = 11.7,ε
o
= 8.854×10
-14
F/cm)
相關申論題
四、請畫出 p-型矽基板的金氧半電容的高頻與低頻電容-電壓特性曲線,並說明為何不同。 (20 分)
#123855
五、請繪圖說明薄膜沈積的 sidewall step coverage 和 bottom step coverage 的定義,並簡 單解釋這兩個值通常小於 1 的原因。(15 分)
#123856
⑴ quadratic elongation
#123858
⑵ thin-skinned deformation
#123859
⑶ angular shear
#123860
⑷ dynamic recrystallization
#123861
⑸ stylolite
#123862
⑹ frontal thrust
#123863
二、北宜高速公路建築時,坪林隧道因遭遇破碎岩體,產生嚴重滲水,以致嚴重影響工 程施工之進度。請由構造地質學的觀點,討論影響岩體破碎程度的因子,並說明其 影響。(20 分)
#123864
三、透過野外的調查,我們了解車籠埔斷層的變形帶寬度可達幾百公尺。假設車籠埔斷 層之位態為南北走向且向東傾斜 30 度。請討論在此一數百公尺寬的斷層帶中,可 能發育次生斷層的位態及其運動形式。(20 分)
#123865
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