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112年 - 112 地方政府特種考試_三等_工業工程:人因工程#118132
> 申論題
三、請說明聽覺顯示裝置的設計原則中, 「一般原則」有那些?(30 分)
相關申論題
四、在追蹤作業中,人有那些的限制?(24 分)
#504186
(一)請分別敘述在外質半導體中何謂「完全解離(complete ionization)」及「凍結(freeze-out)」?(10 分)
#504187
(二)請輔以數學表示式說明在半導體中「質量作用定律(mass-action law)」 之物理意義。(5 分)
#504188
(一)請輔以數學表示式說明影響半導體「漂移電流密度(drift current density)」之因素為何?(5 分)
#504189
(二)請分別說明影響半導體中載子移動之「晶格散射(lattice scattering)」及「游離雜質散射(ionized impurity scattering)」之物理意義及其溫度效應。(10 分)
#504190
(一)請以數學表示式定義 p-n 接面之「內建電位(Vbi, built-in potential)」。 (5 分)
#504191
(二)請繪出 p-n 接面其分別在逆向偏壓、順向偏壓之能帶圖(energy-band diagram),並說明其整流(rectification)特性。(10 分)
#504192
(一)請敘述「基極寬度調變效應(base width modulation effect)」,並說明其對於 BJT 輸出電導(go)之影響。(10 分)
#504193
(二)請敘述「高注入效應(high injection effect)」,並說明其對於 BJT 共射極電流增益(β)之影響。(10 分)
#504194
(一)若分別以介電層 Ta2O5 及 SiO2 作為電容,且 Ta2O5:SiO2之厚度比 2:1、面積比為 3:1,試求其電容比?(5 分)
#504195
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