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104年 - 104 鐵路特種考試_三等_資訊處理:資料通訊#22471
> 申論題
三、TCP/IP 可以在全球運作順利的主要貢獻之一是 IP 通訊協定的設計。試述 IP 通訊協 定設計的原理與目的為何?並探討其優缺點。(20 分)
詳解 (共 2 筆)
YenCheng Lin
詳解 #3147971
2019/01/07
IP位址:任一個想進行網路傳輸的機器都有...
(共 137 字,隱藏中)
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台大順利畢業,調查局順利考上
詳解 #5745439
2023/03/12
IP(Internet Protocol...
(共 501 字,隱藏中)
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相關申論題
四、IEEE802.11 提供兩種存取機制,DCF 與 PCF,試述此兩種機制的工作原理與所提供 的服務有何差異?如果我們要傳送多媒體資料,那一種機制會比較適合?為什麼? (20 分)
#23695
如果該校被分配的網路標示碼為 196.220.96.0,那麼很可能它的 IP 地址範圍為何? (10 分)
#23696
其網路標示碼會有幾個位元?網路遮罩為何?(10 分)
#23697
IP 地址 196.220.97.22 與 IP 地址 196.220.98.55 中,那一個是不屬於該校的電腦地址? (5 分)
#23698
(一)此 Si 晶片之多數載子(majority carriers)為何種型態,n 型或 p 型?又此多數載子之 濃度為何?(10 分)
#23704
(二)此 Si 晶片之電阻係數(resistivity)約為多少?設 Si 之 ni = 1010 cm -3,且電子與電洞之 移動率各為 μn = 1600(公分)2 ∕(伏特.秒)與 μp = 450(公分)2 ∕(伏特.秒)。 (10 分)
#23705
(一)若此元件之固定氧化電荷(fixed oxide charge),QF為每平方公分 1012的電子電荷, 則其平帶電壓,VFB,應為多少?(10 分)
#23706
(二)若此元件之空乏區電荷 Qdep為 1.6×10-7 C/ cm2 ,則其臨界電壓 VT為何?又此元件 為增強型或是空乏型(enhancement-mode or depletion-mode device),請說明理由? (10 分)
#23707
(一)何謂 MOSFET 之短通道效應?為何會發生此效應?又此效應發生時會對元件之特 性產生何種利或弊?為什麼?(10 分)
#23708
(二)何謂後退的濃度分布(retrograde channel doping profile),又其較常用於長通道 MOSFET 或短通道 MOSFET 之製作?為什麼?(10 分)
#23709
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