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半導體工程
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109年 - 109 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#94892
> 申論題
二、在一個 PN 接面光偵測器中,若光子在空乏區被吸收而產生電子電洞對, 分別說明電子與電洞由產生位置到外部電極的傳導方式。若光子在 P 型 中性區被吸收,也分別說明電子與電洞由產生位置到外部電極的傳導方 式。請指出電子與電洞的傳導方向。 (20分)
相關申論題
三、就一個操作在主動區的 npn 雙極性電晶體(bipolar junction transistor), 說明其電流的傳導機制。何謂電晶體的注入效率(injection efficiency) 與傳導因子(transport factor)?若基極(base)與射極(emitter)為同質 接面(homojunction) ,應如何設計射極與基極的摻雜濃度以提高注入效 率?若基極與射極為異質接面(heterojunction) ,其能帶結構對注入效率 有何影響?(20分)
#395688
四、請說明磊晶成長(epitaxial growth)、異質磊晶成長(hetero-epitaxial 、以及晶格不匹配(lattice mismatch) growth) 。如何利用異質磊晶成長對 磊晶薄膜產生應變(strain)?(20分)
#395689
五、考慮 Si 的 SiO2熱成長的機制可分為兩個步驟:氧分子擴散通過已成長 的 SiO2然後與下面的 Si 進行反應形成 SiO2。假設擴散的氧分子通量與 SiO2厚度成反比。分別說明何時擴散步驟、反應步驟會成為瓶頸步驟。 而在前述兩種狀況下,SiO2的厚度與時間的關係分別為何?(20分)
#395690
一、建築物位於臺中市,地面配置如⑴上視圖、⑵左視圖、⑶等角透視圖、 ⑷前視圖所示,正北朝上,請繪出夏至日(6月21日)的上午八點左右, 上視圖的陰影(以線條與素描上色表示)。(25分)
#395691
二、在作正投影時,將投影面置於物體前面所作的投影,稱為第三象限之正 投影。按第三象限之正投影,如圖為物件的⑴上視圖、⑵左視圖、⑶前 視圖、⑷右視圖。請繪製它的立體圖 S=1/40、線條即可,視角如⑸立方 體所示。(25分)
#395692
三、LOD 定義為 BIM 建築資訊建模在營建生命週期不同階段的「發展程度」 , 並定義了從100到500的五種 LOD。請以下列矩陣表列,分別定義 LOD 各階段以及隨著營建生命週期的進展,所對應的交付時機。 (25分)
#395693
四、為了考慮植栽覆土深度,不高於室內樓板高度,故有「降板式綠化陽台」 設計。它能創造視覺從室內、半室內到戶外的延伸感,也能降低孩童攀 爬花台失足墜落的危險。如下圖示在同時考慮休閒、療癒、採光、結構、 安全、隱密性、視野、覆土、植栽(能滿足喬木、灌木與地被植物) 、排 水、隔熱、防風或其他法規與機能上的規定與考量下,請在9F、360 cm 樓層高度的情境下,設計300 cm× 600 cm 之「降板式綠化陽台」,請 以⑴S = 1/50的平面、剖面圖;以及⑵S = 1/10剖面(或者剖面透視)大 樣圖,說明結構層、植栽層、蓄/排水層、防水層、過濾層、阻根層、介 質層等;與給水、噴灌、排水設施、安全措施的正確排列與配置關係; 並且⑶註明其各層在「材料」上的建議。(25分)
#395694
沒有 【段考】國二數學下學期 權限,請先開通.
#395695
沒有 【段考】國二數學下學期 權限,請先開通.
#395697
沒有 【段考】國二數學下學期 權限,請先開通.
#395698
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