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法規◆公平交易法
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94年 - 094年高等三級暨普通第二試公平交易管理(高考)#40630
> 申論題
二、甲銀行為乙金融控股公司旗下之子銀行(房屋貸款之市場占有率為百分之八),對 向其申請辦理房屋抵押貸款之張三表示:「張三應將其房屋向同屬於乙金融控股公 司旗下之丙保險公司投保火災險及地震險,甲銀行始會核准其貸款之申請。」試問 甲銀行之行為,是否違反公平交易法之規定,其理由何在?(25 分)
相關申論題
三、我國於民國八十八年二月三日修正公平交易法時,於第十九條增訂「限制競爭或」 一語,而將「限制競爭」與「妨礙公平競爭」二者並列為判斷有無構成違反第十九 條規定之實質要件。試問上開對於公平交易法第十九條所為之修正,如從公平交易 法之規範目的觀之,在法理上是否正確?(25 分)
#125619
四、依我國公平交易法之章節劃分,第二章是以「獨占、結合、聯合行為」為規範對象, 而第三章則以「不公平競爭」為規範對象,其中第二十四條係列於第三章之末,性質 上為概括條款。試問就公平交易法第二十四條之規範內容言,是否亦可解釋為第二章 之補充規範?目前行政院公平交易委員會及司法實務上又持何種見解?(25 分)
#125620
一、快、慢、中子及加馬混合環境之量測,其主要考量的因素為何?請舉例闡述之。 (25 分)
#125621
二、蓋革偵檢器、碘化鈉偵檢器、high purity Ge detector 各用於不同的環境量測場合, 請舉例說明;其主要考量的因素為何?請闡述之。(25 分)
#125622
三、請提出中低階廢料處置場環境監測系統配置及監測的規劃。(25 分)
#125623
四、核能電廠與醫院放射治療場所人員輻射防護措施之異同,請詳述之。(25 分)
#125624
一、在本質(Intrinsic)矽晶體中,請說明使其變成 n 型矽晶體的兩種方法,並說明其製 作過程及形成 n 型矽晶體的機制。(20 分)
#125625
二、請描繪空乏型 n 通道金屬-半導體場效電晶體(Depletion mode n-channel metal- semiconductor field effect transistors, MESFETs)之結構圖,並說明其工作原理及電流 電壓曲線圖。(20 分)
#125626
三、砷化鎵之能隙(Energy gap)及電子親和力(Electron affinity)分別為 1.42eV 及 4.07eV,以金屬之功函數(work function)而言,為在 n 型砷化鎵製作優良的蕭特 基接觸(Schottky contact),請說明需選用何種金屬,並以能帶圖說明其工作機制 及原理。(20 分)
#125627
四、在双異質接面(Double heterojunction)半導體雷射結構中,請說明双異質結構較優 於同質接面(Homojunction)結構之優點,並說明其原因。(20 分)
#125628
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