二、砷化鎵（GaAs）於溫度 T = 300 K 時，其能隙（bandgap） E _g = 1.42 eV 、本質載子濃 度（intrinsic carrier concentration）n_{i ,300} K = 2.26 × 10 ⁶ cm ^{− 3}；波茲曼常數（Boltzmann’s constant） k = 8.62 × 10 ^{− 5} eV/K。設升溫至 T = 450 K 時，其 E_g 維持不變，試求砷化鎵 在 450 K 之本質載子濃度 ni ,₄₅₀ K = ？（10 分）

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