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積體電路技術
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102年 - 102 公務升官等考試_簡任_電子工程:積體電路技術研究#43806
> 申論題
二、討論 N 型 Si 基板與金屬的 Heterojunction 接面,因為製程上有什麼差異,因此而 會形成肖基二極體(Schottky Barrier Diode)或歐姆接觸(Ohmic Contact)兩種不 同的元件行為。(20 分)
相關申論題
三、為了製程可靠度的要求,CMOS 製程可能在製作過程面臨 Antenna effects issue(天 線效應)問題,請簡要敘述該問題及其解決方法。(20 分)
#142177
四、請分別敘述半導體中兩種摻雜技術的特性及不同處。若要形成 MOS 元件的 Source /Drain 應採何者較合宜?(20 分)
#142178
五、矽晶體之晶格常數為 5.43 埃,請依此計算出矽晶體之體積密度,即一立方公分的矽 晶體約有多少個矽原子?並說明矽晶體摻雜 Nd 及 Na 時,合理的濃度值範圍應為多 少較合宜?(20 分)
#142179
㈠若此 3 人使用 ATM 的時間為互相獨立,請寫出 T 之分配及其均數與標準差。 (8 分)
#142180
㈡若某甲希望這 3 個人使用之總時間能少於 4 分鐘,請計算此一機率為何?(7 分)
#142181
⑴求得 k 值,使其滿足 f 為一機率密度函數。(10 分)
#142182
⑵求 Y 之累積機率密度函數,即 F(y)。(10 分)
#142183
⑶計算 P(1 ≤ Y ≤ 2) 之值。(5 分)
#142184
⑴若此研究者依全臺電話簿,成功隨機抽取 400 個成年人,在 95%的信心水準下, 此一調查之近似邊際誤差(margin of error)為何?(5 分)
#142185
⑵在 95%的信心水準下,若該研究者希望近似邊際誤差為 2%,則需要多少樣本? (5 分)
#142186
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