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半導體工程
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98年 - 98 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#40370
> 申論題
二、請說明何謂直接能隙(direct bandgap)?何謂間接能隙(indirect bandgap)?砷化 鎵是那一種能隙的材料?(10 分)
相關申論題
三、以強光照射一 n 型半導體晶片表面,請繪出從表面到晶片深處的能帶圖,包括導帶、 價帶、電子和電洞的準費米能階(quasi-Fermi level)。(15 分)
#124013
五、請說明如何從順向偏壓的電流-電壓特性,計算金屬-半導體接面的蕭基位障(Schottky barrier)高度。(15 分)
#124015
六、請畫出Metali/SiO2/p-type Si在accumulation, depletion, inversion三種狀態的能帶圖。 (15 分)
#124016
七、一層厚度 100 nm 的矽薄膜,如果要用氧化的方式,將 Si 厚度減薄到 50 nm,請問 需要成長多厚的氧化層?(10 分)
#124017
八、繪圖說明何謂等向性蝕刻(isotropic etching)、非等向性蝕刻(anisotropic etching)? 以HF和HNO3混合溶液蝕刻Si是屬於那一種?(10 分)
#124018
⑴請敘述用於描述血液流變性質 (Rheological property)相當理想的卡松方程式(Casson equation)之內容。(10 分)
#124019
⑵請說明剪速率(shear rate )、血容比(hematocrit)、溫度、血漿蛋白質含量 ( protein content) 與 血 管 直 徑 大 小 的 改 變 , 如 何 影 響 血 液 的 視 黏 度 ( apparent viscosity)?(例如,剪速率增加,則血液視黏度會升高或降低?)(15 分)
#124020
⑴請繪出此藥品分布全身的簡單必要模式流程圖;(12 分)
#124021
三、某人安靜坐在溫度 25°C、相對溼度(relative humidity)40%的室內環境,呼吸頻率每 分鐘 12 次,每次呼吸的潮氣體積(tidal volume)為 500 mL(at 25°C,1 atm),假設 呼出氣體是 37°C且已達水蒸汽飽和(saturated with water vapor)。請計算此人呼吸所 排出熱量的速率是多少(Kcal/hr)?(註:空氣分子量= 28.9,水分子量= 18 ; 空氣熱容量:Cp,air at 25°C = 0.25 cal/g-°C;水的汽化熱:λH20 at 37°C = 570 cal/g;飽和水蒸汽壓(Ps,mmHg)與溫度(Ts,°C)的關係式可表為:Ps = 1.92 Ts - 25.3 mmHg)(25 分)
#124022
⑴試寫出描述指示劑流過此特定組織區域的統制方程式(governing equation)(10 分)
#124023
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