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測量學(概要、大意)
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115年 - 115 身心障礙特種考試_四等_土木工程:測量學概要#138946
> 申論題
二、電子測距儀在距離測量時可用反射稜鏡、反射片、無稜鏡三種模式測距。 試比較其優缺點(比較項目可包括測程、精度、人力需求、適用場景、設備成本、環境限制、架設時間等)。(25 分)
相關申論題
(一)計算水平角 ∠APB=?(以度分秒為單位)(15 分)
#570024
(二)如果事後發現 B 點定心偏移 0.050 公尺,PB 長度 350.125 公尺,試問最大可能誤差的測角誤差為多少秒?(10 分)
#570025
(一)放樣距離、放樣方位角各為多少?(15 分)
#570026
(二)如果希望測距、測角的精度都能達到十萬分之一,則測距、測角的容許誤差各為多少?(10 分)
#570027
一、如圖 1 所示之理想運算放大器(ideal operational amplifier)電路,試求: 等三個轉移函數(transfer functions)之數學表示式。(25 分)
#570028
二、如圖 2 所示之雙埠網路(two-port network),已知 VS = 50∠0℃ Vrms、 ZS = 10 Ω、z11 = 40 Ω、z12 = 60Ω、z21 = 80Ω、z22 = 100Ω、ZL = 5 + j4 Ω, 試求負載 ZL 的平均吸收功率。(25 分)
#570029
三、如圖 3 所示之 pnp 型雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor)電路, 已知其共射極電流增益(common-emitter current gain)β = 50、射基接面 電壓 VEB = 0.7 V、基極電阻器 RB = 100 kΩ,為使集極電壓為 VC = 5 V, 試求集極電阻器 RC 之值與此時的基集接面電壓。若換成一顆β = 150 之 新電晶體,則該新電晶體的基集接面電壓變為多少?新電晶體變成在那 一區工作?(25 分)
#570030
四、如圖 4 所示之兩顆 N 型金氧半(metal-oxide-semiconductor, MOS)電晶體 Q1、Q2,已知其設計參數均為:臨界電壓 Vt = 1 V、製程互導參數 μnCox =120 μA/V2、通道長度調變效應 λ = 0、通道長度 L = 1 μm。若設定 I = 120μA、 V1 = 3.5 V、V2 = 1.5 V、VDD = 5 V,試求工作在飽和區之兩電晶體的閘極 寬度,以及電阻值 R 的大小。(25 分)
#570031
(一)在 a 點的正應力與剪應力分別為何?(10 分)
#570032
(二)在 b 點的正應力與剪應力分別為何?(10 分)
#570033
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