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半導體工程
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110年 - 110 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#101633
> 申論題
五、請畫出 PMOS 場效電晶體結構,並說明如何將此場效電晶體開啟(turn on) 與關閉(turn off) 。(15 分)
相關申論題
六、為什麼在矽局部氧化形成時,氧化薄膜會向矽基板內生長?請計算其比 例(以未成長時之表面當參考位置)。(15 分)
#426631
一、請以氣體燃燒為例,詳細說明各燃燒要素、環境壓力及發火條件。 (25 分)
#426632
二、請分別說明液化氣體容器發生蒸氣爆炸前之現象,與原油或重質油發生 沸溢(Boilover)前之現象。 (25 分)
#426633
一、如圖所示,三個半徑均為 a 的平行圓柱形導線,其彼此間距為 d,假設 d >> a ,試求導線間每單位長度的相互電容 。 (20 分)
#426634
二、在 xy 平面上,有一條 N=10 匝導線的長方形迴路並串聯一個電阻 R = 30 ( Ω) ,該迴路於 x 方向的長為 0.6 ( m ) 及 y 方向的寬為 0.2 (m ) ,左 下角位於坐標原點,迴路中通過的磁通密度為, 其中 B0 = 3( μ T ),角頻率 ω =5π ✖ 107 ( rad/s ),試求迴路電流為何。 (20 分)
#426635
三、試論述均勻平面電磁波在低損耗介電材料(Low-Loss Dielectrics)與良 導體(Good Conductors)中之傳播常數、本質阻抗與相速度等特性, 並分析兩種材料之不同。(20 分)
#426636
四、如圖所示,考慮一特徵阻抗為 R0,長度為之無損傳輸線,波傳播速度為 u,負載端( z = )接一電容 CL,於時間 t = 0 時,將開關按下,接上一 內阻亦為 R0 之直流電壓源 V0,試求負載端之暫態電壓 vL(t) 。(20 分)
#426637
(一)此均勻橫向平面電磁波之相速度 u p 及傳播介質的本質阻抗 η。 (10 分)
#426638
(二)磁場強度 H。(10 分)
#426639
(一)彈道重建時,在現場指示彈道方向之設備(方式)有那些,並說明其 使用方式?(4 分)
#426640
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