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電力電子學
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113年 - 113 高等考試_二級_電力工程:電力電子#123066
> 申論題
四、一個降壓型直流轉直流轉換器(Buck DC-DC Converter)具有以下電氣規格:輸入電壓 50 V、輸出電壓 12 V、開關切換頻率 50 kHz、輸出功率 60 W。其在 40%負載時,會從連續導通模式操作變成非連續導通模式操作,且輸出電壓漣波小於 1%。請設計滿足這些規格的輸出電感和輸出電容。(25 分)
相關申論題
五、一個馳返式轉換器(Flyback Converter)有下列電氣規格:輸入電壓 24 V、 輸出電壓 120 V、輸出功率 150 W、開關切換頻率 100 kHz,且具有非常大的輸出電容,以及理想的開關元件。若其變壓器匝數比為 1:4,磁化 電感為 800 μH,且漏感可以忽略不計。請計算滿載且開迴路操作之下, 通過開關之最大峰值電流為何?(25 分)
#523581
一、請分別敘述半導體製程中所使用的蝕刻製程技術(Etching technology) 與舉離製程技術(Lift-Off technology),並比較兩者缺點及解決方案。 (20 分)
#523582
(一)一個具有介電層的金屬氧化半導體(MOS)元件,面積為 4 μm2 ,介電層厚度為10 nm,使用介電常數 (Dielectric constant)為 25 的五氧化 二鉭 (Ta2O5) 當介電層,當該 MOS 元件外加偏壓為 5 伏特時,試分別求出該 MOS 元件可以儲存的總電荷量與每平方公分產生的電子數。 (10 分) (設真空中介電常數εo為F/cm)
#523583
(二)試設計一個具有10 nH 電感值(L)的方形平面螺旋形積體電感,若電感圈數為 20,則所需的方形平面螺旋半徑應為多少?(10 分) (設真空中介磁常數μo為H/m ) (各小題均計算至小數點後第二位)
#523584
(一)點缺陷(Point defect)
#523585
(二)線缺陷(Line defect)
#523586
(三)面缺陷(Area defect)
#523587
(四)體缺陷(3-D defect)
#523588
(一)硼原子在矽晶體的擴散長度 L(Diffusion length)
#523589
(二)每單位面積的硼雜質原子總數
#523590
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