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半導體元件
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99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體元件#46983
> 申論題
四、試證明n型非簡併（non-degenerate）半導體電子濃度分佈n(E)的最大值位於導帶最 低能位（Conduction-band minimum）E
c
的上方k
B
T/2。（20 分）
相關申論題
⑴此電池的內阻為多少歐姆？（10 分）
#161763
⑵若輸出電流為 5 安培時，則輸出電壓為多少伏特？（10 分）
#161764
⑴試求 A、B 兩點間之戴維寧及諾頓等效電路。 （10 分）
#161765
⑵當 A、B 間以一 5 歐姆電阻連接時，流過此電阻 之電流為何？（10 分）
#161766
三、如圖二所示之電路，試算出電路中各元件 所產生或消耗之功率。（20 分）
#161767
⑴若ix = 5 安培，則v1及iy之值分別為何？ （10 分）
#161768
⑵若v1 = 3 伏特，則ix及iy之值分別為何？ （10 分）
#161769
五、如圖四所示，試求交流電路中 I1 及 I2 之值。 （20 分）
#161770
⑴ A ⊆ B 若且唯若 。(A)O(B)X
#161771
⑵若 1+1=3，則猪會飛。(A)O(B)X
#161772
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