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半導體工程
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96年 - 96 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#40380
> 申論題
六、以 PN 二極體為例,說明其空間電荷形成之原因,並說明於何處其電場強度最大。 (20 分)
相關申論題
七、試比較傳統反應性離子蝕刻技術(RIE)與高密度電漿蝕刻(ICP)之不同。(10 分)
#124104
⑴乳化聚合法(emulsion polymerization)
#124105
⑵物理氣相沈積法(physical vapor deposition)
#124106
⑶原料藥(active pharmaceutical ingredient)
#124107
⑷共聚合體(copolymer)
#124108
二、⑴試說明二甲基醚(Dimethyl Ether, DME)的應用性質。(10 分)
#124109
⑵試說明由合成氣結合甲醇之製程,製造二甲基醚之主要化學反應方程式。(10 分)
#124110
⑴請說明溶凝膠法之意義。(10 分)
#124111
⑵承⑴,為何可利用此方法製備奈米材料。(10 分)
#124112
四、某化工程序利用空氣,在乾燥器中除去固體成品中所含之水分。空氣進入乾燥器 時之溫度為 327 K,壓力為 100 kPa,露點為 303 K。空氣離開乾燥器時之溫度為 305.2 K,壓力為 100 kPa,露點為 280.2 K。已知水之飽和蒸汽壓在 303 K 時為 4.25 kPa,在 280.2 K 時為 1.02 kPa。此乾燥程序每小時可除去 500 kg 之水分,請計 算每小時空氣進料之莫耳數。(20 分)
#124113
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