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半導體工程
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101年 - 101 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#39546
> 申論題
題組內容
一、關於砷化鎵(GaAs)晶體,令 a 為該晶體之晶格常數(lattice constant):
⑵請繪出在上述立方體中於(110)平面上之鎵原子平面空間分布示意圖,並求出 於該平面上之鎵原子等效數目為多少個?(10 分)
相關申論題
⑴電子濃度 no =?(7 分)
#118143
⑵電洞濃度 po =?(7 分)
#118144
⑶費米能階(Fermi energy level)EF相對本質費米能階(intrinsic Fermi energy level) EFi之位置為 EF - EFi =?eV(6 分)
#118145
⑵當加上逆偏壓使得xn 處之電洞濃度為零,請繪出此時之電洞少數載子濃度分布 示意圖,並求出在xn處由n區流入空乏區之電洞擴散電流密度Jp(xn) =?(10 分)
#118147
⑴請說明正光阻與負光阻之特性差異。(10 分)
#118148
⑵採用正光阻製程,若要製作一凸起之 I 字型光阻圖案,請繪出所設計光罩圖型示 意圖(以斜線代表暗區,空白代表亮區表達)。(10 分)
#118149
⑴請簡述採用離子佈植技術之電晶體製程步驟流程。(10 分)
#118150
⑵若要將該電晶體之臨限電壓(threshold voltage)調整為更為負ΔVth < 0,請問該 如何達成?(10 分)
#118151
一、因地制宜是地方政府設計與運作的要素,請申論我國地方政府應如何配合地域差異 和環境特質,以發展出適當的治理策略?(25 分)
#118152
二、我國升格為直轄市的地方政府數增加,因而區的數量亦隨之增長,請說明傳統意義 上,區的角色與地位為何?並析論因應不同地域特性,區的功能應從那些面向加以 檢討?(25 分)
#118153
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