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流體力學
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100年 - 100年專門職業及技術人員高等建築師、技師、第2次食品技師暨普通不動產經紀人、記帳士考高等_水利工程技師#40378
> 申論題
題組內容
四、
⑵若以上述條件,求使得杯內水恰好溢出杯外之最低旋轉角速度 ω。(10 分) 3cm 20cm 原始靜止水位 16cm 旋轉中穩定的表面水位 ω
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#124092
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#124093
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#124094
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#124095
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#124096
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#124097
一、DRAM 記憶體單元是由一個電晶體與一個電容所組成。若記憶體面積為 1µ m2,且 電容具 4 nm 之 SiO2 介電層,又工作電壓為 2V,請問有多少電子儲存在記憶體單元。 (SiO2 介電常數:3.9)(10 分)
#124098
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#124099
三、Si 於電漿中被蝕刻是根據以下之反應:Si(s) + 2Cl2(g) → SiCl4(g)。若通入氯氣流量 為 100 sccm,請問理論之 200 mm 直徑之矽晶圓最大蝕刻率為多少? (Si atom weight: 28.09,Density: 2.329 g/cm3)(15 分)
#124100
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