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半導體工程
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95年 - 95 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40530
> 申論題
題組內容
二、簡答題：
⑶若增加射極（emitter）之能隙使之較基極為大，則此 BJT 之特性與傳統結構相較 孰優孰劣？為什麼？（7 分）
相關申論題
⑴半導體為 n 型 Si，且ΦM＞ΦS
#124988
⑵半導體為 n 型 Si，且ΦM＜ΦS
#124989
⑶半導體為 p 型 Si，且ΦM＞ΦS
#124990
⑷半導體為 p 型 Si，且ΦM＜ΦS
#124991
⑴作用於此元件之電壓為何？（6 分）
#124992
⑵對應於此元件之電容為多少 nF/cm2？（7 分）
#124993
⑶若 n 型區攙雜濃度為 1017 cm-3，則其空乏區邊緣（at the edge of the depletion region）之少數載子濃度為何（設 ni＝1010 cm-3）？（7 分）
#124994
⑴在各空乏區邊緣（即圖三所標示之 A，B，C，D 等位置）之多出少數載子濃度 （excess minority-carrier concentration）為何？（7 分）
#124995
⑵集極電流（IC）為何？（6 分）
#124996
⑶計算 Early voltage（VA）為何？（7 分）
#124997
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