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基本電學(概要)
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97年 - 97 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程:基本電學#48717
> 申論題
題組內容
四、如圖所示,試問:(20 分)
⑷ 同第⑶ 小題之情況,在 1、2 兩點間之電壓為何?
詳解 (共 3 筆)
sam255tw
詳解 #2565690
2018/01/09
由題目得知電容損壞為開路情形且為開關閉合...
(共 219 字,隱藏中)
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lock820926
詳解 #2730574
2018/04/17
45*10/25=18與題目1、2電壓相...
(共 33 字,隱藏中)
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Jun(電雇
詳解 #2305923
2017/06/30
V=IR=1.8*10=18v
(共 17 字,隱藏中)
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相關申論題
⑸ 同第⑶ 小題之情況,此電路之時間常數為何?
#169907
⑴ a, b 兩端之等效阻抗 為何?
#169908
⑵ 若此時電源 = 10∠0°(V ) ,且其電源具有一內部阻抗 ,在何種情況下,a,b 兩 點之間之負載可獲得最大功率轉換?
#169909
⑶ 同第⑵ 題,a,b 兩點之間之負載可吸收最大功率為何?
#169910
⑷ 若此時電源 = 10∠0°(V ) ,而電源內部阻抗 = 0 ,求此電路之平均功率為何?
#169911
一、⑴試繪圖說明增強型 n-MOSFET 之半導體結構圖
#169912
⑵一個n通道MOSFET工作於飽和區域,MOSFET常數Kp =20mA/V2 ,臨界電壓( threshold voltage)為Vt=1.5V,若閘極-源極間之電壓為VGS=3V,試求MOSFET 於飽和狀態時之汲極電流ID值以及小信號轉導(transconductance)gm值。(20 分 )
#169913
⑴輸出電壓vo對 時間關係圖,
#169914
⑵電阻R
#169915
及⑶平均二極體電流值ID(av)。(20 分)
#169916
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