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101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_資訊工程:計算機結構#26691
> 申論題
題組內容
四、
2並從網路的觀點,解釋兩者不同的使用條件。(10 分)
相關申論題
1何謂 RAID 磁碟?(10 分)
#44488
2.EEPROM 有何特性?(10 分)
#44489
1計算整個過程該理想氣體的做工量(work, W)、熱傳量(heat, Q)、內能變化量 (internal energy change, ΔU)與焓變化量(enthalpy change, ΔH)。(10 分)
#44490
2我們試圖設計建立一可逆過程(reversible process):由上述之起始條件(300 K, 10 bar)先經等溫膨脹(isothermal expansion),再經絕熱膨脹(adiabatic expansion) 後達到上述之最終條件(250 K, 2.0 bar)。試問在經過等溫膨脹過程後之系統體積 為何?方可保證再經絕熱膨脹過程後可達到最終條件(250 K, 2.0 bar)。(10 分)
#44491
3計算上述第⑵部分整個可逆過程該理想氣體的做工量(work, W)、熱傳量(heat, Q)、內能變化量(internal energy change, ΔU)與焓變化量(enthalpy change, ΔH)。 (15 分)
#44492
1試求Li+ 和Cl- 離子的遷移數(transport number)。
#44493
2假設氯化鋰的莫耳導電率(molar conductivity)為 115.0 Ω–1 cm 2 mol–1,試求Li+ 和Cl- 離子的莫耳離子導電率(molar ionic conductivity)與離子遷移率(ionic mobility)。 (法拉第常數F = 96485 庫倫,LiCl的分子量為 42.39 g mol–1)
#44494
三、試說明掃描式穿隧顯微鏡(scanning tunneling microscope)的操作原理。(10 分)
#44495
1當壓力為 1.0 bar 的理想氣體。
#44496
2當壓力為 1.0 bar時的氣體,該氣體可以狀態方程式(equation of state)P(Vm-b) = RT 來描述。其中P為壓力,Vm為莫耳體積,b為一常數,R為氣體常數,T為溫度。
#44497
相關試卷
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