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111年 - 111 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_從業評價職位人員/電氣、電子電機_專業科目1:電子學#120613
> 試題詳解
11. 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)疊接放大器分別由哪兩種組態為第一級與第二級所組成?
(A) 共源極(CS)、共閘極(CG)
(B) 共源極(CS)、共汲極(CD)
(C) 共閘極(CG)、共汲極(CD)
(D) 共集極(CC)、共基極(CB)
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統計:
A(15), B(5), C(5), D(0), E(0) #3258757
詳解 (共 1 筆)
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B1 · 2025/10/20
#6932164
1. 題目解析 題目詢問金屬氧化物半導體...
(共 1030 字,隱藏中)
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12. 若欲將【圖 12】所示放大電路之工作點(Q 點)移向 A 點,請問執行下列何種動作可以辦到?(A) 增加 RB 電阻值 (B) 減小 RB 電阻值 (C) 增加 Rc 電阻值 (D) 減小 Rc 電阻值
#3258758
13. 如【圖 13】所示為理想運算放大器(OPA)應用電路,若輸入電壓(Vi)為 3.5V,則輸出電壓(Vo)為多少伏特(V)?(A) -17.5V (B) 17.5V (C) -15V (D) 15V
#3258759
14. 下列由雙極性接面電晶體(BJT)所組成的達靈頓電路,何者為正確接法? (A)(B)(C)(D)
#3258760
15. 下列何者為 N 通道空乏型金屬氧化物半導體場效電晶體(DMOSFET)的符號? (A)(B)(C)(D)
#3258761
16. 下列電子材料中,何者不是常用來製作半導體元件的材料? (A) 鍺(Ge) (B) 矽(Si) (C) 鈉(Na) (D) 磷(P)
#3258762
17. 判斷半導體材料能否產生自由電子的能隙(energy gap)大小,常用的單位是什麼? (A) 伏特 V (B) 庫倫 C (C) 瓦特 W (D) 電子伏特 eV
#3258763
18. 波爾原子模型中,離原子核最遠的最外層軌道之電子,稱為? (A) 束縛電子 (B) 自由電子 (C) 價電子 (D) 負離子
#3258764
19. 有關半導體材料及元件內的電子與電洞,下列敘述何者錯誤? (A) 電子脫離原子軌道所留下之空位稱為電洞 (B) 自由電子移動的速度和電洞移動的速度是一樣的 (C) 價電子脫離原子結構後,形成自由電子 (D) P 型半導體內的主要導電載體為電洞
#3258765
20. 在 P 通道電晶體 MOSFET 如【圖 20】所示,下列敘述何者正確?(A) 必須在柵極(gate, G)施加較源極(source, S)正電壓,才會進入飽和區 (B) P 通道內負責主要導電的電荷載體為電子 (C) P 通道內負責主要導電的電荷載體為正電的電子 (D) P 通道內負責主要導電的電荷載體為電洞
#3258766
21. 某電路中的一個二極體其 20℃ 的熱當電壓 VT=25mV,順向直流工作點電壓 VDQ=0.7V,電流 IDQ=2.5mA,則交流動態電阻 rd 為多少? (A) 280 Ω (B) 140 Ω (C) 100 Ω (D) 10 Ω
#3258767
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