阿摩線上測驗
登入
首頁
>
初等/五等/佐級◆電子學大意
>
105年 - 105 初等考試_電子工程:電子學大意#38334
> 試題詳解
13 如圖所示理想運算放大器電路,v
I
為輸入電壓、v
O
為輸出電壓,本電路為:
(A)濾波電路
(B)箝位電路
(C)截波電路
(D)倍壓電路
答案:
登入後查看
統計:
A(48), B(154), C(31), D(20), E(0) #1094276
詳解 (共 1 筆)
秋砯
B2 · 2019/05/29
#3383450
當輸入>0的時候,二極體不導通,代...
(共 65 字,隱藏中)
前往觀看
16
1
相關試題
14 二極體接逆向偏壓時,其空乏區將如何變化? (A)不變 (B)變寬 (C)變小 (D)不一定
#1094277
15 有關共射極放大器的特性,下列敘述何者正確? (A)電流增益為α,輸出與輸入電壓相位差 180° (B)電流增益為β,輸出與輸入電壓相位差 0° (C)電流增益為α,輸出與輸入電壓相位差 0° (D)電流增益為β,輸出與輸入電壓相位差 180°
#1094278
16 雙極性接面電晶體(BJT)之共基極電流增益 α = 0.98,試問:其共射極電流增益 β 為多少? (A) 49 (B)70 (C)98 (D)198
#1094279
17 如圖所示電路,當輸入電壓 vI = 0 時,輸出電壓 vO 為: (A)+VCC(B)0(C)-0.7 V(D)-VCC
#1094280
18 如圖所示雙極性接面電晶體(BJT)電路,若電晶體 β = 100,電流 I = 1 mA,則電壓增益 Av約為若 干? (A)-40 (B)-20 (C)-10 (D)-5
#1094281
19 如圖所示放大器,若電晶體操作於飽和區,電流源為理想,且忽略元件之寄生電容效應,下列敘述 何者錯誤? (A)增加 Vbias將提高放大器之電壓增益 (B)增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ωL (C)增加電晶體之 W/L 可提高放大器之電壓增益 (D)增加 RL可提高放大器之電壓增益
#1094282
20 在下列 MOS 電晶體放大器組態中,以那一種放大器具有最小的輸入電阻? (A)共源(CS)放大器 (B)共閘(CG)放大器 (C)共汲(CD)放大器 (D)疊接(Cascode)放大器
#1094283
21 如圖所示電路,若 BJT 操作在順向主動區(forward active region)且轉導值(gm)為 10 mA/V,電晶 體之 β = 10,元件之輸出阻抗(ro)= 10 kΩ,試求輸出阻抗(Ro)約為多少? (A)2.5 kΩ (B)4.5 kΩ (C)6.5 kΩ (D)8.5 kΩ
#1094284
22 雙極性接面電晶體(BJT)在截止區(Cutoff Region)操作下,其偏壓施加方式為: (A)BE 間逆偏,CB 間順偏 (B)BE 間順偏,CB 間逆偏(C)BE 及 CB 間均逆偏 (D)BE 及 CB 間均順偏
#1094285
23 如圖所示電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V,輸出阻 抗(ro)為 10 kΩ,其增益值 Vo / Vi為何? (A)10 V/V (B)5 V/V (C)2.5 V/V (D)1.25 V/V
#1094286
相關試卷
115年 - 115 初等考試_電子工程:電子學大意#136710
2026 年 · #136710
114年 - 114 初等考試_電子工程:電子學大意#124880
2025 年 · #124880
113年 - 113 初等考試_電子工程:電子學大意#118527
2024 年 · #118527
112年 - 112 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#118362
2023 年 · #118362
112年 - 112 鐵路、國家安全情報特種考試_佐級、五等_電子工程、電子組:電子學大意#114944
2023 年 · #114944
112年 - 112 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#113943
2023 年 · #113943
112年 - 112 初等考試_電子工程:電子學大意#112891
2023 年 · #112891
111年 - 111 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#112600
2022 年 · #112600
111年 - 111 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#108515
2022 年 · #108515
111年 - 111 初等考試_電子工程:電子學大意#105667
2022 年 · #105667