19 如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述 何者錯誤？
(A)增加 Vbias將提高放大器之電壓增益
(B)增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ωL
(C)增加電晶體之 W/L 可提高放大器之電壓增益
(D)增加 RL可提高放大器之電壓增益

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統計： A(137), B(27), C(27), D(26), E(0) #1094282

詳解 (共 3 筆)

#2361559
電壓增益：-gm*RL 增加v bias...
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#3265402

C選項增益為gm*RL ,gm=2*根號K*Id  W/L提高K增加

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#3058577
為什麼選項c是對的
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