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初等/五等/佐級◆電子學大意
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104年 - 104 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#36416
> 試題詳解
14圖中理想二極體電路輸入正弦波訊號 vi 的峰值為V
m
,請問在幾週期後輸出電壓 vo 的峰值可達 2V
m
? (假設初始狀態各電容電壓降均為零)
(A)四分之一週期
(B)二分之一週期
(C)四分之三週期
(D)一週期
答案:
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統計:
A(1), B(9), C(50), D(49), E(0) #1044773
詳解 (共 1 筆)
Nan
B3 · 2019/10/25
#3635341
我解釋一下: 因正弦波在第1/2 週期時...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/02
私人筆記#7608183
未解鎖
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相關試題
15下圖電路是何種電路? (A)積分器 (B)峰值檢波器 (C)對數放大器 (D)指數放大器
#1044774
16分析下列之電路,若 D1 與 D2 之面積皆相同,若 vi 與 vo 為交流小訊號,C1 與 C2 之電容值為無限大, 則 vo / vi =? (A)1/10 (B)1/5 (C)5 (D)10
#1044775
17如圖所示之電路,輸入電壓 vi 為一交流弦波,有效值為 11 V,頻率為 60 Hz,二極體導通之壓降為0.7 V,則其輸出之漣波值約為何? (A)0.25 V (B)2.25 V (C)4.25 V (D)6.25 V
#1044776
18雙極性接面電晶體(BJT)中,下列那種電路組態其輸入阻抗最大? (A)共基極組態 (B)共射極組態 (C)共集極組態 (D)基-射極組態
#1044777
19如圖為一共源(CS)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導參數為 gm,輸出電阻為 ro,則此放大器的電壓增益為何? (A)-gmRD (B)-gm(RD // ro) (C)-ro / RD (D)-RD / ro
#1044778
20關於 BJT 電晶體之敘述,下列何者正確? (A)爾利效應(Early Effect)爲基極有效寬度調變所造成 (B)爾利效應(Early Effect)越大,則相同之集極電流條件下,輸出阻抗越小 (C)PNP 電晶體工作於主動區(Forward Active Region)時,射極電壓較集極電壓爲低 (D)NPN 電晶體工作於主動區(Forward Active Region)時,流入基極之電流主要爲電子載子電流
#1044779
21如圖為一共汲(CD)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導參數為 gm,輸出電阻為ro→∞,則此放大器的輸出電阻 Ro 為何? (A)Rs (B)Rs/(1+gmRs) (C) 0 (D)∞
#1044780
22下圖電路爲一個音頻放大器,若欲設計此電路,使得其低 3 分貝頻率 (Lower 3 dB Frequency)爲15 Hz,則電路中 C1 應使用多大之電容? (A)0.22 µ F (B)0.47 µ F (C)0.59 µ F (D)0.75 µ F
#1044781
23如圖所示之電路,假設 MOS 電晶體操作在飽和區,λ= 0,ID = 1 mA, CGS = 50 fF,CGD = 10 fF,CDB = 50 fF,採用米勒(Miller)趨近法,求位於 G 端之極點頻率爲何? (A)1.97 GHz (B)2.97 GHz (C)3.97 GHz (D)4.97 GHz
#1044782
24如圖所示 MOSFET 電路,電晶體 M 是增強型(enhancement type)n 通道 MOSFET。已知 VDD = 3 V、 |Vtn|= 0.6 V、k'n(W/L) = 1.0 mA / V2、ID = 0.08 mA、忽略輸出電阻 ro,則此電晶體 工作的區域為: (A)崩潰區(breakdown region) (B)三極區(triode region) (C)截止區(cut-off region) (D)飽和區(saturation region)
#1044783
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