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初等/五等/佐級◆電子學大意
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103年 - 103 初等考試_電子工程:電子學大意#35860
> 試題詳解
17 當一矽二極體導通時,跨於二極體兩端的電壓 VD約有多大?
(A) 0 V
(B)0.025 V
(C)0.7 V
(D)1.4 V
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統計:
A(16), B(15), C(258), D(2), E(0) #1031281
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/15
私人筆記#7641271
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18 圖示理想二極體電路中,若輸入 vI為弦波,峰值電壓 5 V,下列何者為 vO的波形? (A) (B) (C) (D)
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19 圖中電晶體的β=240,VBE = 0.7 V 及 VT = 25 mV,其電壓增益(Vo / Vi)約為: (A)-700 (B) -500 (C)-300 (D)-100
#1031283
20 下列之放大器若電晶體操作於順向主動區(forward active region),對於小訊號電壓增益 ,下列敘述何者錯誤? (A)增加 RE則增益減低 (B)增加 RC則增益提高 (C)若 RS= 0,增加 RB則增益增加 (D)增加 RS則增益減低.
#1031284
21 BJT 單級放大器架構中,小訊號特性電壓增益接近於 1 是那種? (A)共射極 (B)射極隨藕 (C)共基極 (D)具有射極電阻之共射極
#1031285
22 當 BJT 操作於主動模式,其 IB、IC、IE三者之大小關係為: (A) IB<IC<IE (B)IB>IC>IE (C)IC>IE>IB (D)IC<IB<IE
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23 P 通道增強型 MOSFET 導通時,閘極必須加: (A)正電壓 (B)負電壓 (C)正、負電壓均可 (D)零
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24 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V,輸出 阻抗(ro)為 10 kΩ,試求 Vo / Vi=? (A)-5.25 (B)-10.5 (C)-21 (D)-42
#1031288
25 MOSFET 一般可應用於類比及數位兩種電路,當應用於小訊號放大,此時電晶體應工作於下列何區 域? (A)截止區 (B)三極管區(Triode Region) (C)飽和區 (D)崩潰區
#1031289
26 有一 npn 電晶體,其爾利電壓(Early Voltage)VA = 40 V。該電晶體操作於主動模式,且 IC = 4 mA, 則電晶體的輸出電阻 ro約為: (A)10 kΩ (B)20 kΩ (C)160 kΩ (D)無窮大
#1031290
27 如圖的共射(CE)放大器,設電晶體工作於主動模式(Active Mode),其小訊號參數 gm、re、rπ及 輸出電阻 ro均為已知,各外加電容均極大。則此放大器之輸入電阻 Rin(不含 Rsig)為: (A)RB (B)RB || rπ (C)RB || ro (D)RB || RC
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