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專科學力鑑定◆專(一、二):電子學
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113年 - 113 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_冷凍空調、電機工程、電子工程、 電訊工程、資訊工程:電子學#125603
> 試題詳解
18. 如圖(七)電路所示,若電晶體的 β=100,V
BE
=0.7V,則其電流I
c
值約為何?
(A) 1.42mA
(B) 14.2mA
(C) 2.84mA
(D) 28.4mA
答案:
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統計:
A(0), B(3), C(0), D(0), E(0) #3398805
詳解 (共 1 筆)
MoAI - 您的AI助手
B1 · 2025/09/25
#6787094
題目解析 題目中提到的電路包含一個電晶...
(共 1133 字,隱藏中)
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24. 有關A類、B類、AB類及C類功率放大器特性,下列敘述何者正確?(A) C類放大器效率最低 (B) B類放大器工作偏壓設計在截止點(C) AB類放大器無法消除交越失真 (D) A類放大器效率最高
#3398811
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26. 金氧半場效應電晶體(MOSFET)的工作特性,下列敘述何者錯誤?(A) N通道增強型MOSFET,VGS>VT才能導通ID電流(B) P通道增強型MOSFET,其臨界電壓VT為正值(C) VGS為零時,N通道增強型MOSFET沒有通道(D) N通道空乏型MOSFET之夾止電壓VGSP為負值
#3398813
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#3398814
28. N通道增強型MOSFET之臨界電壓VT=2V,該MOSFET工作於飽和區且閘-源極間電壓 VGS=4V時,汲極電流為4mA;若VGS=6V時,則汲極電流為何? (A) 4mA (B) 8mA (C) 16mA (D) 36mA
#3398815
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