3.稽納二極體(Zenerdiode)的稽納電壓VZ=5V，消耗功率PZ=0.5W，此最大稽納電流IZM為： (A)1A (B)500mA (C)200mA (D)100mA

12.在N通道接面型場效應電晶體(JFET)方面，Vp表示夾止電壓，IDSS為汲極飽和電流，VGS為閘極對源極電壓，在夾止區(或定電流區)的汲極電流ID為： (A)\( I_{\text{D}} = I_{\text{DSS}} \left( 1 - \frac{V_{\text{GS}}}{V_{\text{p}}} \right) \) (B)\(I_{\text{D}} = I_{\text{DSS}}\left(2 - \frac{V_{\text{GS}}}{V_{\text{p}}}\right)\) (C) \( I_{\text{D}} = I_{\text{DSS}}\left(1-\frac{V_{\text{GS}}}{V_{\text{p}}}\right)^2 \)(D)\( I_{\text{D}} = I_{\text{DSS}}\left(2-\frac{V_{\text{GS}}}{V_{\text{p}}}\right)^2 \)

3.稽納二極體(Zenerdiode)的稽納電壓V_Z=5V，消耗功率P_Z=0.5W，此最大稽納電流I_ZM為：
(A)1A
(B)500mA
(C)200mA
(D)100mA

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3.稽納二極體(Zenerdiode)的稽納電壓VZ=5V，消耗功率PZ=0.5W， 此最大稽納電流IZM為：(A)1A(B)500mA(C)200mA(D)100mA

相關試題

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3.稽納二極體(Zenerdiode)的稽納電壓V_Z=5V，消耗功率P_Z=0.5W，此最大稽納電流I_ZM為：
(A)1A
(B)500mA
(C)200mA
(D)100mA