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統測◆03電機類、04資電類◆(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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100年 - 100 四技二專統測_電機與電子群電機類、電機與電子群資電類_專業科目(一):電子學、基本電學#18257
> 試題詳解
30. 如圖(十四)所示之電路中,二極體的切入(障壁)電壓為0.7V ,輸入電壓Vin 為15sin(60t )V , 則下列敘述何者正確?
(A) 輸出電壓Vout 最高為2.3V
(B) 輸出電壓Vout 最低為-2.7 V
(C) 輸出電壓Vout 最高為3.7 V
(D) 通過2kΩ 電阻的最大電流為6.15 mA
答案:
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統計:
A(11), B(10), C(10), D(60), E(0) #677949
詳解 (共 1 筆)
ccgc
B1 · 2019/05/11
#3342354
Vin==15V, 左路diode 導通...
(共 172 字,隱藏中)
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相關試題
31. 如圖(十五)所示之電路中,輸入電壓V in = 8sin(1000t )V ,若使用理想二極體且RC 電路的 放電效應可忽略,則下列有關輸出電壓Vout 的敘述,何者正確? (A) 最大值為22V (B) 平均值為8V(C)有效值為V(D)最小值為V
#677950
32. 如圖(十六)所示之電路中,Vin 是接家中插座的交流電110V/60Hz, D1 ~ D4 的切入電壓為 0.7V , D5 的稽納電壓為12V ,若所有二極體的內阻都忽略不計,則下列敘述何者錯誤? ( √2 = 1.414) (A) D1導通時, D2 也導通 (B) 電容 C 兩端的最大電壓降為12V (C) 通過電阻 R 的最大電流約為6.5mA (D) D1與 D2 所承受的峰值逆向電壓( PIV )大小相同
#677951
33. a 若量測電路中的 PNP 型雙極性接面電晶體,得知其射極接地,基極電壓為0.7V ,集極 電壓為-3V ,請問電晶體操作在哪個區域? (A) 截止區 (B) 順向主動區 (C) 飽和區 (D) 逆向主動區
#677952
34. 圖(十七)所示為雙極性接面電晶體的輸出特性曲線,其中直線為負載線,A、B、C、D 四個點為不同 IB 時的工作點。已知IB1 ~ IB4 分別為10μA 、20μA 、30μA、40μA ,在避免 失真產生的條件下,請問哪一點的輸入訊號振幅可以最大? (A) A (B) B (C) C (D) D
#677953
35. 如圖(十八)所示之電路中,雙極性接面電晶體的VBE = 0.7V ,β =50,則 IB 大小為何? (A) 0.5mA (B) 0.25mA (C) 0.1mA (D) 0.05mA
#677954
36. 在具有射極電阻及射極旁路電容的共射極放大電路中,下列敘述何者正確? (A) 交流的電壓增益會受到射極直流電流大小的影響 (B) 直流電流會從旁路電容通過,可增加直流的電壓增益 (C) 對直流的工作點而言,旁路電容為負迴授的電路 (D) 若將旁路電容移除,直流的工作點會明顯改變 的
#677955
37. 下列有關由兩個共射極放大器構成 RC 耦合串級放大電路的敘述,何者正確? (A) 第一級直流工作點的變化會影響到第二級的直流工作點 (B) 高頻的電壓增益受到耦合電阻的影響而降低 (C) 第一級直流工作點的變化會影響到第二級的交流電壓增益 (D) 低頻的電壓增益受到耦合電容的影響而降低 的
#677956
38. 如圖(十九)所示之電路中,基極電壓為0.7V ,集極電壓為2V ,若熱電壓VT = 25mV,則 基極交流電阻r π 的值為何? (A) 25Ω (B) 250Ω (C) 400Ω (D) 4kΩ
#677957
39. 如圖(二十)所示之電路,電晶體處於主動區 ( active region ),其 β 值為 89, Ii 為交流輸入 電流。已知基極交流電阻r π 為1.9kΩ ,則交流電流增益 IL / Ii 的值為何? (A) 4.37 (B) 8.73 (C) 17.5 (D) 27.5
#677958
40. 如圖(二十一)所示,此曲線為下列何種 FET 的 ID-VGS 特性曲線?( VT 為臨界電壓) (A) N 通道 JFET (B) N 通道空乏型 MOSFET (C) P 通道增強型 MOSFET (D) N 通道增強型 MOSFET
#677959
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