31.如【圖 31】所示的理想放大器電路，請問輸出電壓為多少伏特？

(A) 120 mV
(B) 40.0 mV
(C) 20.0 mV
(D) -120 mV

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32.將一個 10 V、內電阻為 4 Ω 的電源供應器連接到一個負載電阻上，如果要在負載電阻上得到最大功率轉移，則負載應調整到多少歐姆？ (A) 2 Ω (B) 4 Ω (C) 6 Ω (D) 8 Ω

33.依照電子元件發展的時間順序來排列，由最早出現上市應用到最近幾年的實用電子元件，則下列敘述何者正確？(A)真空管、電晶體、積體電路 (B)電晶體、真空管、積體電路(C)積體電路、真空管、電晶體 (D)真空管、積體電路、電晶體

34.一般整流二極體當加上偏壓時，下列敘述何者正確？(A)所謂順向偏壓就是 P 端加負電位、N 端加正電位 (B)所謂逆向偏壓就是 N 端加負電位、P 端加正電位(C)順向偏壓時，空乏層變寬，障蔽電位變大 (D)逆向偏壓超過崩潰電壓時，電流會急遽增大可能燒毀二極體

35.下列何者是發光二極體(LED)的符號？(A) (B) (C) (D)

36.發光二極體 LED 加電壓後所發出來光的顏色，主要是由何種因素來決定？(A)通過的電流大小 (B)兩端施加電壓的高低(C)脈波調變(PWM)的頻率高低 (D)所用材料的能帶間隙

37.如【圖 37】所示的場效電晶體是屬於何種結構的場效電晶體？(A) (a)是 P 通道增強型 MOSFET；(b)是 N 通道增強型 MOSFET(B) (a)是 P 通道增強型 MOSFET；(b)是 N 通道空乏型 MOSFET(C) (a)是 N 通道增強型 MOSFET；(b)是 P 通道空乏型 MOSFET(D) (a)是 N 通道空乏型 MOSFET；(b)是 P 通道增強型 MOSFET

38.如【圖 38】所示，方波的波峰因數(crest factor, CF)為何？(A) 0.273 (B) 0.333 (C) 0.500 (D) 1.00

39.由放大器輸出一組訊號 v(t) = 25+100sin(105 t) mV 經電容器後、連接到下一級放大器，作為下一級放大器的輸入訊號，則下列敘述何者正確？ (A)經電容器後的訊號為 v(t) = 25+100sin(105 t) mV (B)經電容器後的訊號為 v(t) = 100sin(10 5 t) mV (C)經電容器後的訊號為 v(t) = 25 mV (D)電容器主要的功用是要穩定訊號電壓

40.如【圖 40】所示，截波電路的輸入電壓為 vi(t) = 15sin(100t) mV，非理想稽納二極體的順向導通電壓均為 0.7 V；而崩潰電壓分別為 ZD1 = 4 V，ZD2 = 7 V，則輸出電壓 vo(t)的上下限分別為何？(A)輸出電壓正半週的上限為 +7 V；負半週上限為 +4 V(B)輸出電壓正半週的上限為 +7 V；負半週上限為 – 4 V(C)輸出電壓正半週的上限為 – 7.7 V；負半週上限為 – 4.7 V(D)輸出電壓正半週的上限為 +7.7 V；負半週上限為 – 4.7 V

41.如【圖 41】所示，由理想二極體所組成的電路中，假設 V1 = 2 V，V2 = 4 V，則流過 20 Ω 電阻的電流為何？(A) 0.3 A (B) 0.4 A (C) 0.7 A (D) 1.0 A

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