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統測◆03電機類、04資電類◆(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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101年 - 101 四技二專統測_電機與電子群電機類、電機與電子群資電類_專業科目(一):電子學、基本電學#18080
> 試題詳解
33. 下列何者 為正確的輸出電壓信號 v
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(t) ?(圖中的垂直虛線為時間的參考對齊線)
答案:
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統計:
A(32), B(14), C(13), D(4), E(0) #668428
詳解 (共 1 筆)
Allen Lee
B1 · 2022/10/13
#5633733
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私人筆記 (共 1 筆)
邵恆
2024/02/17
私人筆記#5766304
未解鎖
統測◆(一)電子學、基本電學 -101年...
(共 1154 字,隱藏中)
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相關試題
34. 承上題,下列措施,何者可有效提高輸出方波信號的頻率? (A) 提高 Vref值 (B) 降低 Vref值 (C) 減少 R2 /R1的比值 (D) 縮短三角波信號 ( ) s v t 的週期
#668429
35. 圖(二十)為 555 IC 的典型方波產生器電路,其輸出方波信號的週期為 T=T+ +T-,其中 T+和 T-分別為正負電位的時間。令工作週期=(T+ /T)×100%,試問下列何種 R1和 R2的 組合可得工作週期=75%的週期性方波信號? (A) R1=1kΩ,R2=2kΩ (B) R1=2kΩ,R2=1kΩ (C) R1=1kΩ,R2=3kΩ (D) R1=3kΩ,R2=1kΩ
#668430
36. 據報導指出:台積電與聯電在 90 奈米製程世代發展至今已步入成熟階段,產能比重均已 大幅提高。這裡所指的 90 奈米,為何種尺寸? (A) 電晶體的閘極長度 (B) 電容器的絕緣層厚度 (C) 電路的金屬線寬度 (D) 金屬間的連結栓直徑
#668431
37. 如圖(二十一)所示電路,若VZ = 4V ,則稽納二極體的消耗功率為多少?(不考慮稽納二極體 的電阻) (A) 120mW 圖(二十一) (B) 240mW (C) 360mW (D) 480mW
#668432
38. 如圖(二十二)所示電路,若不考慮二極體的順向電阻,二極體的障壁電壓為 0.75V,試求 二極體的電流 ID 大小為何? (A) 0mA 圖(二十二) (B) 1mA (C) 2mA (D) 3mA
#668433
39. 下列何種摻雜的改變行為,可增加 BJT 電晶體的電流增益 β? (A) 基極與射極摻雜濃度均降低 (B) 基極與射極摻雜濃度均增加 (C) 基極摻雜濃度增加與射極摻雜濃度降低 (D) 基極摻雜濃度降低與射極摻雜濃度增加
#668434
40. 下列敘述何者有誤? (A) BJT 當開關使用時是工作於飽和區或截止區 (B) BJT 當放大器使用時是工作於主動區 (C) BJT 在主動區的偏壓方式是 BE 接面順向偏壓,BC 接面逆向偏壓 (D) BJT 在飽和區的偏壓方式是 BE 接面逆向偏壓,BC 接面逆向偏壓
#668435
41. 下列對於JFET的特性敘述何者正確? (A) VGS接近截止( cut- off)電壓時,汲極與源極間的崩潰電壓比在 VGS=0V 時為大 (B) 在室溫附近,溫度愈高時,有較小的汲極電流 (C) 通道寬度愈窄,夾止 ( pinch-off)電壓愈大 (D) P 通道接面場效電晶體的高電位在汲極端
#668436
42. 如圖(二十三)所示電路,場效電晶體之參數為:臨界電壓(threshold voltage )VT =2.0V, k=2mA/V2 。求 IDS為何? (A) 8mA 圖(二十三) (B) 4mA (C) 2mA (D) 0mA
#668437
43. 如圖(二十四)之電路,假設 RC 值遠大於輸入信號 vs(t)之週期,D 為理想二極體,試問 輸出電壓 vo(t) 之直流準位為何? (A) 0V 圖(二十四) (B) −5V (C) −10V (D) −15V
#668438
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