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110年 - 110 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_從業評價職位人員/電子電機:電子學#103387
> 試題詳解
36.發光二極體LED加電壓後所發出來光的顏色,主要是由何種因素來決定?
(A)通過的電流大小
(B)兩端施加電壓的高低
(C)脈波調變(PWM)的頻率高低
(D)所用材料的能帶間隙
答案:
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統計:
A(3), B(2), C(9), D(133), E(0) #2798977
詳解 (共 1 筆)
牛奶
B1 · 2021/11/09
#5201294
發光二極體只能夠往一個方向導通(通電),...
(共 629 字,隱藏中)
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37.如【圖37】所示的場效電晶體是屬於何種結構的場效電晶體? (A) (a)是P通道增強型MOSFET;(b)是N通道增強型MOSFET (B) (a)是P通道增強型MOSFET;(b)是N通道空乏型MOSFET (C) (a)是N通道增強型MOSFET;(b)是P通道空乏型MOSFET (D) (a)是N通道空乏型MOSFET;(b)是P通道增強型MOSFET
#2798978
38.如【圖38】所示,方波的波峰因數(crest factor, CF)為何? (A) 0.273 (B) 0.333 (C) 0.500 (D) 1.00
#2798979
39.由放大器輸出一組訊號v(t) = 25+100sin(10 5 t) mV經電容器後、連接到下一級放大器,作為下一級放大器的輸入訊 號,則下列敘述何者正確? (A)經電容器後的訊號為 v(t) = 25+100sin(10 5 t) mV (B)經電容器後的訊號為 v(t) = 100sin(10 5 t) mV (C)經電容器後的訊號為 v(t) = 25 mV (D)電容器主要的功用是要穩定訊號電壓
#2798980
40.如【圖40】所示,截波電路的輸入電壓為v i (t) = 15sin(100t) mV,非理想稽納二極體的順向導通電壓均為0.7 V; 而崩潰電壓分別為,則輸出電壓v o (t)的上下限分別為何? (A)輸出電壓正半週的上限為 +7 V;負半週上限為 +4 V (B)輸出電壓正半週的上限為 +7 V;負半週上限為 – 4 V (C)輸出電壓正半週的上限為 – 7.7 V;負半週上限為 – 4.7 V (D)輸出電壓正半週的上限為 +7.7 V;負半週上限為 – 4.7 V
#2798981
41.如【圖41】所示,由理想二極體所組成的電路中,假設V 1 = 2 V,V 2 = 4 V,則流過20 Ω電阻的電流為何? (A) 0.3 A (B) 0.4 A (C) 0.7 A (D) 1.0 A
#2798982
42.如【圖42】所示的電路中,稽納二極體的崩潰電壓為9 V,則輸出電壓V o 為何? (A) 9 V (B) 12 V (C) 15 V (D) 20 V
#2798983
43.在半導體材料中,自由電子與電洞都是屬於導電的載體,但是在材料內的移動速度,下列敘述何者正確? (A)自由電子的移動速度比電洞的移動速度慢 (B)自由電子的移動速度比電洞的移動速度快 (C)自由電子的移動速度和電洞的移動速度一樣 (D)這是假設性題目,真實世界中沒有電洞存在,所以無法判斷
#2798984
44.已知由矽為主要材料的NPN電晶體,其BE接面與BC接面的障壁電壓分別為V BE = 0.7 V、V BC = 0.5 V;則當測 量到各接腳的電壓分別為(射極2.4 V)、(基極3.4 V)、(集極2.7 V)則該電晶體處於何種工作模式? (A)截止區模式 (B)線性放大模式 (C)飽和模式 (D)主動區域模式
#2798985
45.電晶體材料中負責導電的電荷載體主要為何? (A) P型電晶體材料中,電子為多數載體;電洞為少數載體 (B) N型電晶體材料中,電子為多數載體;電洞為少數載體 (C) P型電晶體材料中,只有電洞為多數載體;沒有電子 (D) N型電晶體材料中,只有電子為載體;沒有電洞
#2798986
46.典型的CMOS電晶體結構,主要是由何種型態的電晶體所構成? (A)一個PMOS和一個NMOS所構成;其柵極(Gate)接在一起 (B)兩個PMOS所構成;其柵極(Gate)接在一起 (C)兩個NMOS所構成;其柵極(Gate)接在一起 (D)事實上,CMOS是達靈頓電路的另一種名稱
#2798987
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