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110年 - 110 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試試題_從業評價職位人員/電子電機 :電子學#137305
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42.如【圖 42】所示的電路中,稽納二極體的崩潰電壓為 9 V,則輸出電壓 Vo 為何?
(A) 9 V
(B) 12 V
(C) 15 V
(D) 20 V
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42.如【圖42】所示的電路中,稽納二極體的崩潰電壓為9 V,則輸出電壓V o 為何? (A) 9 V (B) 12 V (C) 15 V (D) 20 V
#2798983
43.在半導體材料中,自由電子與電洞都是屬於導電的載體,但是在材料內的移動速度,下列敘述何者正確?(A)自由電子的移動速度比電洞的移動速度慢 (B)自由電子的移動速度比電洞的移動速度快(C)自由電子的移動速度和電洞的移動速度一樣 (D)這是假設性題目,真實世界中沒有電洞存在,所以無法判斷
#3815068
44.已知由矽為主要材料的 NPN 電晶體,其 BE 接面與 BC 接面的障壁電壓分別為 VBE = 0.7 V、VBC = 0.5 V;則當測量到各接腳的電壓分別為(射極 2.4 V)、(基極 3.4 V)、(集極 2.7 V)則該電晶體處於何種工作模式? (A)截止區模式 (B)線性放大模式 (C)飽和模式 (D)主動區域模式
#3815069
45.電晶體材料中負責導電的電荷載體主要為何?(A) P 型電晶體材料中,電子為多數載體;電洞為少數載體(B) N 型電晶體材料中,電子為多數載體;電洞為少數載體(C) P 型電晶體材料中,只有電洞為多數載體;沒有電子(D) N 型電晶體材料中,只有電子為載體;沒有電洞
#3815070
46.典型的 CMOS 電晶體結構,主要是由何種型態的電晶體所構成?(A)一個 PMOS 和一個 NMOS 所構成;其柵極(Gate)接在一起(B)兩個 PMOS 所構成;其柵極(Gate)接在一起(C)兩個 NMOS 所構成;其柵極(Gate)接在一起(D)事實上,CMOS 是達靈頓電路的另一種名稱
#3815071
47.如【圖 47】所示,由電阻、二極體及電壓源所構成的電路中,Vm = 9 V,V1 = 3 V,V2 = 5 V,則有關輸出電壓的敘述,下列何者正確? (A)輸出電壓正半週的最大值為 +3 V;負半週最大值為 +5 V (B)輸出電壓正半週的最大值為 -3 V;負半週最大值為 +5 V (C)輸出電壓正半週的最大值為 -5 V;負半週最大值為 +3 V (D)輸出電壓正半週的最大值為 +3 V;負半週最大值為 -5 V
#3815072
48.如【圖 48】所示為電子電路中用來消除傳導電磁干擾的電路結構,圖中 A、B、C、D 四個元件的性質為何?(A) A 與 B 是電容器;C 與 D 是電感器 (B) A 與 C 是電容器;B 與 D 是電感器(C) A 與 C 是電感器;B 與 D 是電容器 (D) A 與 B 是電感器;C 與 D 是電容器
#3815073
49.如【圖 49】所示的電晶體電路中,流進電晶體集極的電流 IC 為何?(A) 0.1 mA (B) 0.5 mA (C) 2.5 mA (D) 5.0 mA
#3815074
50.如【圖 50】所示,由理想運算放大器 OPA 所組成的電路中,假若輸入電壓 vi(t) = 10sin(ωt) mV,則輸出電壓 vo為何?(A) 100sin(ωt) mV (B) -100sin(ωt) mV (C) -50sin(ωt) mV (D) 50sin(ωt) mV
#3815075
1. 圖(一)建築作品的設計者為下列何者?(A) 彼得‧貝倫斯 ( Peter Behrens )(B) 麥可‧葛瑞夫(Michael Graves)(C) 查爾斯‧摩爾(Charles Moore )(D) 羅伯特‧文丘里(Robert Venturi)
#3815076
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