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電子學
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108年 - 108 漢翔航空工業股份有限公司_新進人員甄選_師級/電子電機A、電子電機B:電子學#79630
> 試題詳解
49 如【圖 49】為 TTL 數位元件之內部電路,若兩輸入端 v
X
、v
Y
均空著,未接其他電路時,其 輸出 v
O
約為何?
(A)2.5V
(B)3.7V
(C)0V
(D)5.0V
答案:
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統計:
A(5), B(18), C(27), D(11), E(0) #2079151
詳解 (共 2 筆)
b10613159
B1 · 2021/10/21
#5168679
Q1多射極CB , Q1集極輸出相當於v...
(共 93 字,隱藏中)
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1
0
吳瑞峰
B2 · 2022/10/18
#5638430
TTL 空接 視為高電位----- ...
(共 102 字,隱藏中)
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50 如【圖 50】中,FET 之互導 gm=1mΩ 、輸出阻抗 ro=∞ Ω,R1=100KΩ、R2=200KΩ、 Rs=1KΩ,則 vo 端之輸出阻抗為何? (A)∞ Ω (B)66.6KΩ (C)1KΩ (D)500Ω
#2079152
51 雙極性接面電晶體的偏壓電路如【圖 51】,若電晶體 β=100,VBE=0.7V,則此集極電流 Ic 為: (A)0.04mA (B)0.4mA (C)4mA (D)8mA
#2079153
52 雙極性接面電晶體的偏壓電路如【圖 52】7,若電晶體 β=200、VBE=0.7V,則此集極-射極 電壓 VCE為: (A)1V (B)3V (C)5V (D)7V
#2079154
53 增強型金氧半場效型電晶體(MOSFET)偏壓電路如【圖 53】,已知電晶體的參數 K=0.5 2 mA /V2 ,臨界電壓(threshold viltage)Vt=2V、VDS=4V,則此 RD 為: (A)1kΩ (B)2kΩ (C)3kΩ (D)4kΩ
#2079155
54 增強型金氧半場效型電晶體(MOSFET)的參數 K=0.2 2 mA /V2 ,臨界電壓(threshold voltage)Vt=4V,若閘極-源極電壓 VGS=8V,則汲極電流 ID為: (A)1.6mA (B)3.2mA (C)4.2mA (D)5.2mA
#2079156
55 如【圖 55】所示,運算放大器為理想特性,Vi(s)及 Vo(s)分別為 vi及 vo 的拉式轉換(Laplace transformation),則 Vo(s)/Vi(s)為: (A)-R1C1S (B)− (C) ) − (D)-(R1+C1S)
#2079157
56 如【圖 56】所示,此電路的功能為: (A)積分器 (B)微分器 (C)加法器 (D)減法器
#2079158
57 二極體電路如【圖 57】,若二極體為理想特性,電路中 I1 為: (A)1mA (B)2mA (C)3mA (D)5mA
#2079159
58 雙極性接面電晶體放大電路如【圖 58】所示,若電晶體的順向電流增益 β=100,熱電壓 (thermal voltage)VT=25mA、VBE=0.7V,忽略 Ci、Co 的電容效應,則小信號電壓增益 vo/vi 為何? (A)-200 (B)-150 (C)-100 (D)-50
#2079160
59 雙極性接面電晶體的偏壓電路如【圖 59】,若電晶體的順向電流增益 β=99、VBE=0.7V,則 集極電流 IC為: (A)2.6mA (B)3.6mA (C)4.6mA (D)5.6mA
#2079161
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